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北京北方华创微电子装备有限公司王海莉获国家专利权

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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利确定等离子体起辉的方法、半导体工艺设备的控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118248515B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410211776.1,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权确定等离子体起辉的方法、半导体工艺设备的控制方法是由王海莉;纪安宽;韦刚;赵晋荣设计研发完成,并于2024-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

确定等离子体起辉的方法、半导体工艺设备的控制方法在说明书摘要公布了:本发明实施例提供了一种确定等离子体起辉的方法、半导体工艺设备的控制方法,用于半导体工艺设备,半导体工艺设备包括射频线圈,所述方法包括:在向射频线圈施加射频功率后,监测射频线圈的电参数变化率,电参数变化率包括流经射频线圈的电流变化率或射频线圈两端的电压变化率;当当前时刻检测的电参数变化率与前一时刻检测的电参数变化率的比值超出预设比例阈值或者差值超出预设差值阈值时,确定等离子体起辉,从而可以根据等离子体起辉准确判断半导体工艺设备的点火时刻,避免了在半导体工艺设备点火之前启动下射频系统,提高了半导体工艺设备的安全性。

本发明授权确定等离子体起辉的方法、半导体工艺设备的控制方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体工艺设备的控制方法,用于半导体工艺设备,所述半导体工艺设备包括射频线圈和晶圆承载装置,所述方法包括: 向所述射频线圈施加第一射频功率; 在向所述射频线圈施加第一射频功率后,等离子体电阻逐渐减小,所述射频线圈的输入端侧的阻抗虚部随着所述等离子体电阻的逐渐减小而逐渐减小,使得流经所述射频线圈的电流逐渐减小,监测所述射频线圈的电参数变化率,所述电参数变化率包括流经所述射频线圈的电流变化率或所述射频线圈两端的电压变化率; 当当前时刻检测的所述电参数变化率与前一时刻检测的所述电参数变化率的比值超出预设比例阈值或者差值超出预设差值阈值时,确定所述等离子体起辉,所述预设比例阈值为3~100中的任意数值; 当所述等离子体起辉后,向所述晶圆承载装置的偏压电极施加第二射频功率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京北方华创微电子装备有限公司,其通讯地址为:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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