华南理工大学李国强获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种砷化镓太阳电池及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118301949B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410438380.0，技术领域涉及：H10K30/35；该发明授权一种砷化镓太阳电池及其制备方法和应用是由李国强;郭建森;郭超英;莫由天;刘沛鑫设计研发完成，并于2024-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种砷化镓太阳电池及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种砷化镓太阳电池及其制备方法和应用。本发明的砷化镓太阳电池的组成包括依次层叠设置的第一电极层、GaAs衬底、PEDOT:PSS层或碳纳米管层、磷化铟量子点层、绝缘层和第二电极层，绝缘层和第二电极层均设置有窗口，且绝缘层上的窗口与第二电极层上的窗口至少部分重合。本发明的砷化镓太阳电池具有光电转换效率高、光谱利用范围广、光电流密度高等优点，且其制备工艺简单、生产成本低，适合进行大规模工业化应用。
本发明授权一种砷化镓太阳电池及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种砷化镓太阳电池，其特征在于，包括依次层叠设置的第一电极层、N型GaAs衬底、PEDOT:PSS层或碳纳米管层、磷化铟量子点层、绝缘层和第二电极层；所述绝缘层和第二电极层均设置有窗口，且绝缘层上的窗口与第二电极层上的窗口至少部分重合；所述磷化铟量子点层中的磷化铟量子点的粒径为5nm～7nm；所述N型GaAs衬底包括依次层叠设置的第一N型GaAs层、In0.48Ga0.52P层和第二N型GaAs层；所述第一N型GaAs层的厚度为300μm～380μm；所述In0.48Ga0.52P层的厚度为40nm～60nm；所述第二N型GaAs层的厚度为3.5μm～5μm；所述绝缘层的组成成分为氧化铝、二氧化硅、氮化硅中的至少一种；所述绝缘层的厚度为100nm～120nm。
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