株式会社菲尔尼克斯荻原光彦获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社菲尔尼克斯申请的专利半导体基板的制造方法、及其制造装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118435320B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380015349.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体基板的制造方法、及其制造装置是由荻原光彦;桥本明弘设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体基板的制造方法、及其制造装置在说明书摘要公布了：一种半导体基板的制造方法、半导体基板、及半导体基板的制造装置，可形成高品质的半导体晶体层。半导体基板的制造方法具有：在第一基板的第一面，形成在与第一基板的水平面平行的第一方向上排列的多个平台部、与在第一方向上邻接的两个平台部之间的规定高度的台阶部的工序；以台阶部的一部分露出的方式形成第一半导体层的工序；以及通过对形成有第一半导体层的第一基板进行热处理，使第一基板的Si的一部分从自第一半导体层露出的台阶部的一部分蒸发，在第一半导体层与第一基板之间的至少一部分，形成具有至少一层石墨烯层的缓冲层的工序。
本发明授权半导体基板的制造方法、及其制造装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体基板的制造方法，具有： 在沿着相对于与至少包含Si与C的半导体晶体的晶体生长方向正交的水平面倾斜的面切出所述半导体晶体而形成的第一基板的第一面，形成作为所述第一基板的沿着与所述水平面平行的第一方向的面的多个平台部、与位于在所述第一方向上邻接的两个所述平台部之间的具有规定高度的台阶部的工序； 在所述第一基板的所述第一面形成所述平台部与所述台阶部之后，堆积临界膜厚以上的第一半导体层，以所述台阶部的一部分露出的方式形成所述第一半导体层的工序；以及 通过对形成有所述第一半导体层的所述第一基板进行热处理，使所述第一基板的Si的一部分从自所述第一半导体层露出的所述台阶部的一部分蒸发，在所述第一半导体层与所述第一基板之间的至少一部分，形成具有至少一层石墨烯层的缓冲层的工序， 所述台阶部的规定高度为比于所述第一基板的所述第一面上晶体生长而获得的所述第一半导体层的临界膜厚大的高度。
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