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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请的专利晶圆加工方法、系统和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118595990B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410862299.5，技术领域涉及：B24B29/02；该发明授权晶圆加工方法、系统和设备是由潘石设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆加工方法、系统和设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆加工方法、系统和设备，涉及半导体技术领域，所述晶圆加工方法，包括：根据待加工晶圆的形貌参数，确定所述待加工晶圆的表面形貌形状；根据双面抛光加工盘的历史加工盘型参数，确定所述双面抛光加工盘的盘型形状；针对不同表面形貌形状的所述待加工晶圆，利用对应盘型形状的双面抛光加工盘进行双面抛光。本发明使用一种盘型形状的双面抛光加工盘对一类表面形貌形状的待加工晶圆进行加工，即可以提升双面抛光后晶圆的品质，还可以提高其数据的稳定性，减少产品的加工成本。

本发明授权晶圆加工方法、系统和设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括： 根据待加工晶圆的形貌参数，确定所述待加工晶圆的表面形貌形状； 根据双面抛光加工盘的历史加工盘型参数，确定所述双面抛光加工盘的盘型形状； 针对不同表面形貌形状的所述待加工晶圆，利用对应盘型形状的双面抛光加工盘进行双面抛光； 其中，针对不同表面形貌形状的所述待加工晶圆，利用对应盘型形状的双面抛光加工盘进行双面抛光，包括以下至少一项： 在所述待加工晶圆的表面形貌形状为凸型的情况下，利用所述双面抛光加工盘中盘型形状为凹型的一组抛光盘进行双面抛光； 在所述待加工晶圆的表面形貌形状为凹型的情况下，利用所述双面抛光加工盘中盘型形状为凸型的一组抛光盘进行双面抛光； 在所述待加工晶圆的表面形貌形状为W型的情况下，利用所述双面抛光加工盘中盘型形状为M型的一组抛光盘进行双面抛光； 在所述待加工晶圆的表面形貌形状为M型的情况下，利用所述双面抛光加工盘中盘型形状为W型的一组抛光盘进行双面抛光； 其中，所述方法还包括： 在利用对应盘型形状的双面抛光加工盘进行双面抛光预设时长后，获取所述双面抛光加工盘的实时盘型参数； 在所述实时盘型参数与所述历史加工盘型参数之间的差值大于预设阈值的情况下，调整所述双面抛光加工盘的盘型参数为所述历史加工盘型参数。

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