上海华力微电子有限公司顾国强获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利去除等离子体反应腔体内的刻蚀残留物的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118675969B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410693041.7，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权去除等离子体反应腔体内的刻蚀残留物的方法是由顾国强;陈杰;刘峰;顾晓熠设计研发完成，并于2024-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本去除等离子体反应腔体内的刻蚀残留物的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种去除等离子体反应腔体内的刻蚀残留物的方法，等离子体反应腔体内设有静电吸盘，方法包括：对静电吸盘多次施加电压，每次施加电压后执行抽真空循环策略，且相邻两次施加的电压不同；其中，抽真空循环策略包括：向等离子体反应腔体通入保护气体直至等离子体反应腔体内的压力达到第一设定压力值，并在第一预设时间内保持第一设定压力值；对等离子体反应腔体进行抽真空直至等离子体反应腔体内的压力降至第二设定压力值，并在第二预设时间内保持第二设定压力值。本发明可以去除聚焦环与静电吸盘之间的间隙中的刻蚀副产物，保证晶圆表面不会因刻蚀副产物形成刻蚀阻挡层，大大改善了晶圆刻蚀残留缺陷的问题，提高了刻蚀工艺的稳定性。
本发明授权去除等离子体反应腔体内的刻蚀残留物的方法在权利要求书中公布了：1.一种去除等离子体反应腔体内的刻蚀残留物的方法，等离子体反应腔体内设有静电吸盘，其特征在于，方法包括： 对所述静电吸盘多次施加电压，每次施加所述电压后执行抽真空循环策略，且相邻两次施加的所述电压不同； 其中，所述抽真空循环策略包括： 向所述等离子体反应腔体通入保护气体直至所述等离子体反应腔体内的压力达到第一设定压力值，并在第一预设时间内保持所述第一设定压力值； 对所述等离子体反应腔体进行抽真空直至所述等离子体反应腔体内的压力降至第二设定压力值，并在第二预设时间内保持所述第二设定压力值。
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