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龙图腾网获悉佛山市国星光电股份有限公司申请的专利一种芯片阵列及发光模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118676175B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410725651.0，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权一种芯片阵列及发光模组是由赵龙;周鑫;朱昕;倪亮;罗鹏飞;郑银玲设计研发完成，并于2024-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片阵列及发光模组在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片阵列，所述芯片阵列包括：芯片主体结构和电流引导层，所述芯片主体结构内形成有若干个P电极和若干个N电极，所述芯片主体结构上开设有若干个线槽，所述电流引导层设置在所述线槽内；所述芯片主体结构基于所述线槽形成阵列排布的若干个凸台，所述若干个凸台的阵列结构上沿圆周分布在外缘的若干个凸台设置为N极凸台；在所述N极凸台上形成N电极，所述若干个凸台阵列结构的中部位置的若干个凸台设置为P极凸台，在所述P极凸台上形成P电极，且所述若干个P电极形成P电极阵列。通过设置P电极阵列和若干个N电极结构设计，简化芯片阵列的结构设计，配合电流引导层提高电流传输均匀性，提高芯片阵列的出光光效。

本发明授权一种芯片阵列及发光模组在权利要求书中公布了：1.一种芯片阵列，其特征在于，所述芯片阵列包括：芯片主体结构和电流引导层，所述芯片主体结构内形成有若干个P电极和若干个N电极，所述芯片主体结构上开设有若干个线槽，所述电流引导层设置在所述若干个线槽中的至少一个线槽内； 所述芯片主体结构基于所述线槽形成阵列排布的若干个凸台，所述若干个凸台的阵列结构中包括若干个N极凸台和若干个P极凸台，在所述P极凸台上形成P电极，且所述若干个P电极形成P电极阵列，在所述N极凸台上形成N电极，所述若干个N电极设置在所述P电极阵列的外缘； 所述P电极阵列中的若干个P电极为相互独立分布； 所述若干个N电极为串联连接，任一所述P电极与所述N电极连接形成发光芯片； 所述P电极阵列的若干个P电极之间形成共N极电性连接结构； 所述N电极包括：所述N极凸台、设置在所述N极凸台顶面上的第一电极层以及设置在所述第一电极层上的N极焊点，所述第一电极层的一侧沿所述N极凸台的侧壁向所述线槽的底部延伸； 所述P电极阵列与所述若干个N电极之间设置有过渡列，所述过渡列上设置有若干个过渡电极，所述过渡列用于分隔所述P电极阵列和所述若干个N电极； 所述芯片主体结构包括：依次层叠设置的缓冲层、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层和电极过渡层，任一所述线槽的开槽深度延伸至所述N型半导体层； 在所述N型半导体层对应所述若干个线槽的位置开设有凹槽，所述电流引导层部分嵌合卡接配合在所述凹槽内，所述电流引导层的厚度大于所述凹槽的深度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人佛山市国星光电股份有限公司，其通讯地址为：528051 广东省佛山市禅城区华宝南路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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