北京北方华创微电子装备有限公司詹淋中获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118692884B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410735813.9,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备是由詹淋中;张德群;董云鹤设计研发完成,并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了:本申请公开了一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备,进气管作为等离子体发生腔,并用于向工艺腔室通入等离子体以对晶圆进行工艺,清洗方法包括:在每完成预设数量的晶圆的工艺后,向进气管通入第一清洗气体,并加载射频功率以激发第一清洗气体;控制进气管内的气压在第一预设压力维持第一预设时间,以及在第二预设压力维持第二预设时间,第一预设压力与第二预设压力的比值大于等于6且小于等于14,第一预设时间与第二预设时间的比值大于等于0.5且小于等于2。本申请通过对进气管进行批次间清洗,可以对杂质颗粒进行清洗,避免产生花状缺陷,由于析晶得到及时清洗,不需要经常停机更换进气管,延长了进气管的寿命,成本降低,提高了生产率。
本发明授权一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了:1.一种进气管的清洗方法,其特征在于,所述进气管作为等离子体发生腔,并用于向工艺腔室通入等离子体以对晶圆进行工艺,所述清洗方法包括批次间清洗步骤,所述批次间清洗步骤包括: 在每完成预设数量的晶圆的工艺后,向所述进气管通入第一清洗气体,并加载射频功率以激发所述第一清洗气体; 控制所述进气管内的气压在第一预设压力维持第一预设时间,以及在第二预设压力维持第二预设时间,所述第一预设压力与所述第二预设压力的比值大于等于6且小于等于14,所述第一预设时间与所述第二预设时间的比值大于等于0.5且小于等于2。
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