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龙图腾网获悉山西中科潞安紫外光电科技有限公司;中北大学申请的专利一种提高出光效率的深紫外芯片结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118693209B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410962061.X，技术领域涉及：H10H20/855；该发明授权一种提高出光效率的深紫外芯片结构及其制备方法是由纪银星;张童;张晓娜;谢宇;宫明峰;李烨玺;霍佳鑫;王旭;李晋闽设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高出光效率的深紫外芯片结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于深紫外芯片技术领域，具体涉及一种提高出光效率的深紫外芯片结构及其制备方法，制备方法包括下列步骤：在衬底上制备外延片结构；制备第一台面和第二台面；在第一台面制备第一电极，在第一电极上制备第一电流扩展层；在半导体导电层P‑GaN层上制备第二电极，在第二电极上制备第二电流扩展层；在外延片结构上制备透明介质层；将透明介质层采用干法刻蚀刻蚀粗化图形或者湿法刻蚀的方式进行粗化；在第一电极和第二电极上面制备钝化层；在钝化层制备通孔，在通孔上面制备金锡合金的焊盘电极。本发明通过折射率渐变及表面粗化改善了侧壁的全反射造成的能量损失，有效提高芯片的外量子效率。

本发明授权一种提高出光效率的深紫外芯片结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种提高出光效率的深紫外芯片结构的制备方法，其特征在于，包括下列步骤： S1、在衬底1上依次制备AlN缓冲层2、半导体导电层N-AlGaN层3、有源层量子阱层4、半导体导电层P-GaN层5，形成外延片结构； S2、在外延片结构的一侧，刻蚀外延片结构至半导体导电层N-AlGaN层3，形成第一台面； S3、在外延片结构的另一侧，刻蚀外延片结构至AlN缓冲层2，形成第二台面； S4、在第一台面制备第一电极6，在第一电极6上制备第一电流扩展层； S5、在半导体导电层P-GaN层5上制备第二电极7，在第二电极7上制备第二电流扩展层； S6、在刻蚀有第一台面和第二台面的外延片结构上制备透明介质层8，所述第一台面和第二台面是倾斜角为10°-40°的刻蚀斜面；透明介质层8由多层面渐变折射率的基质层组成，每层的厚度为D=λ4n，其中λ为紫外光在介质中传播的波长，n为紫外光在介质中的折射率； S7、将制备完成的透明介质层8采用干法刻蚀刻蚀粗化图形或者湿法刻蚀的方式进行粗化，使得透明介质层8表面形成各种凸起或者凹陷的图形，降低光线出射产生全反射； S8、在第一电极6和第二电极7上面制备钝化层9； S9、在钝化层9制备通孔，在通孔上面制备金锡合金的焊盘电极10，得到深紫外芯片结构33。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山西中科潞安紫外光电科技有限公司;中北大学，其通讯地址为：046011 山西省长治市高新区漳泽新型工业园区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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