长鑫科技集团股份有限公司张齐获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利存储器件、半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118738094B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410797120.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权存储器件、半导体器件及其制备方法是由张齐;刘力挽;张启铭;林艳兵设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件、半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及制备方法，半导体器件包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底上，所述栅极结构包括依次堆叠的栅氧化层和栅导电层；侧墙结构，覆盖所述栅极结构的侧壁，所述侧墙结构包括第一侧墙和第二侧墙；绝缘层，所述绝缘层覆盖所述栅极结构的顶面、所述第一侧墙顶面和所述第二侧墙的第一表面，所述绝缘层为掺杂的氮化物层；源极和漏极，位于所述栅极结构两侧的衬底内。
本发明授权存储器件、半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 栅极结构，位于所述衬底上，所述栅极结构包括依次堆叠的栅氧化层和栅导电层； 侧墙结构，覆盖所述栅极结构的侧壁，所述侧墙结构包括第一侧墙和第二侧墙； 绝缘层，所述绝缘层覆盖所述栅极结构的顶面、所述第一侧墙顶面和所述第二侧墙的第一表面，所述绝缘层为掺杂的氮化物层； 源极和漏极，位于所述栅极结构两侧的衬底内； 其中，所述侧墙结构还包括位于所述第二侧墙的第二表面上的隔离层，所述第二侧墙包括竖直部和水平部，所述第一表面为所述竖直部的顶面，所述第二表面为所述水平部的顶面，所述隔离层包括第一隔离层和第二隔离层，所述第一隔离层位于所述第二侧墙与所述第二隔离层之间，所述第一隔离层和所述第二隔离层均为掺杂的氮化物层，所述绝缘层和所述第一隔离层、所述第二隔离层的掺杂元素为硼、磷、砷或碳中的一种或多种，所述第一隔离层与所述第二隔离层在平行于所述衬底表面方向的所述掺杂元素具有浓度梯度，所述掺杂元素的浓度由第一隔离层朝向所述第二隔离层方向均匀递减。
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