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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请的专利一种发光器件及发光器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118804621B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410869106.9，技术领域涉及：H10K50/13；该发明授权一种发光器件及发光器件制备方法是由邵智猛;于天成;黄高坤;张如芹;姚亮设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光器件及发光器件制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种发光器件及发光器件制备方法，应用于显示技术领域。该器件包括阴极层、第一电子传输层、第一空穴阻挡层、第一电致发光结构、空穴传输层与P型电荷发生层结构、N型电荷发生层、第二电子传输层、第二空穴阻挡层、第二电致发光结构、空穴传输层与空穴注入层结构、阳极层；第一电致发光结构、空穴传输层与P型电荷发生层结构、第二电致发光结构和空穴传输层与空穴注入层结构中的至少一个为多个功能层重复堆叠的层级结构，针对该类层级结构，可以在重复蒸镀扫描时速率较快，使每一层扫描到的蒸镀材料较少，每一单元的功能层厚度较小，从而能够在保证层级结构厚度的同时，降低制作发光器件过程中材料堵孔或掉料的风险。

本发明授权一种发光器件及发光器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括： 阴极层、第一电子传输层、第一空穴阻挡层、第一电致发光结构、空穴传输层与P型电荷发生层结构、N型电荷发生层、第二电子传输层、第二空穴阻挡层、第二电致发光结构、空穴传输层与空穴注入层结构、阳极层； 所述空穴传输层与空穴注入层结构位于所述阳极层的一侧，所述第二电致发光结构位于所述空穴传输层与空穴注入层结构的远离所述阳极层的一侧，所述第二空穴阻挡层位于所述第二电致发光结构的远离所述阳极层的一侧，所述第二电子传输层位于所述第二空穴阻挡层的远离所述阳极层的一侧，所述N型电荷发生层位于所述第二电子传输层的远离所述阳极层的一侧，所述空穴传输层与P型电荷发生层结构位于所述N型电荷发生层的远离所述阳极层的一侧，所述第一电致发光结构位于所述空穴传输层与P型电荷发生层结构的远离所述阳极层的一侧，所述第一空穴阻挡层位于所述第一电致发光结构的远离所述阳极层的一侧，所述第一电子传输层位于所述第一空穴阻挡层的远离所述阳极层的一侧；所述阴极层位于所述第一电子传输层的远离所述阳极层的一侧； 所述第一电致发光结构与所述第二电致发光结构中在所述阳极层上的正投影存在交叠的发光部分的发光颜色相同，且为红、绿、蓝中的一种； 所述第一电致发光结构、所述空穴传输层与P型电荷发生层结构、所述第二电致发光结构和所述空穴传输层与空穴注入层结构中的至少一个为多个功能层重复堆叠的层级结构。

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