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龙图腾网获悉珠海泰芯半导体有限公司申请的专利PSRAM设备的读写方法、芯片及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118819421B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411035870.2，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权PSRAM设备的读写方法、芯片及电子设备是由陈相政;刘浩;张静设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本PSRAM设备的读写方法、芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种PSRAM设备的读写方法、芯片及电子设备，涉及计算机领域。本申请利用半满信号和半空信号的触发，不仅有助于预防数据溢出和读空情况的发生，还可以优化数据传输和处理的效率，提高硬件资源的利用率。在实际应用中，合理利用这两个信号可以显著提升系统的性能和稳定性。

本发明授权PSRAM设备的读写方法、芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种PSRAM设备的读写方法，其特征在于，应用于芯片，所述芯片包括：仲裁器、m个片内外设、以及m个突发缓冲器；m个片内外设和m个突发缓冲器为一一对应的关系，一个片内外设与一个突发缓冲器进行连接，m个突发缓冲器与仲裁器相连，所述仲裁器与存储控制器相连，PSRAM设备包括PSRAM单元，所述存储控制器与所述PSRAM单元相连；每个突发缓冲器的深度为2N； 对于所述m个突发缓冲器中的每个突发缓冲器来说，所述方法包括： 突发缓冲器接收来自片内外设的写指令，所述写指令携带N个数据单元和每个数据单元的写地址，所述突发缓冲器判断所述N个数据单元的写地址是否连续，若为是，将所述N个数据单元写入到FIFO队列中；所述突发缓冲器检测所述FIFO队列的当前数据量大于N时，向所述仲裁器发送半满信号，所述仲裁器接收到所述半满信号时，从所述FIFO队列中读取N个数据单元，然后将读取的N个数据单元通过存储控制器写入到所述PSRAM单元中； 所述突发缓冲器接收到来自片内外设的读指令，所述读指令携带至少一个读地址，所述突发缓冲器根据所述至少一个读地址在所述FIFO队列查询对应的数据单元，以及将查询到的数据单元返回给片内外设；所述突发缓冲器判断所述FIFO队列的当前剩余容量是否大于或等于N，若为是，突发缓冲器向所述仲裁器发送半空信号，所述仲裁器接收到半空信号后，通过所述存储控制器在所述PSRAM单元中读取N个数据单元，以及将读取的N个数据单元写入到对应的突发缓冲器中。

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