长鑫存储技术有限公司曹新满获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118824937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310390891.5，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构及其制备方法是由曹新满设计研发完成，并于2023-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述方法包括：于衬底中形成平行间隔设置的多个第一沟槽，第一沟槽沿第一方向延伸；形成填充第一沟槽的支撑结构；于衬底上方形成掩膜结构，掩膜结构包括平行间隔设置的多个掩膜桥，掩膜桥沿第二方向延伸，第二方向和第一方向相交，相邻掩膜桥在衬底表面的正投影和对应的相邻支撑结构形成封闭图形，且相邻掩膜桥之间的间隔暴露出支撑结构的部分顶表面；基于掩膜结构刻蚀衬底和支撑结构，形成第二沟槽；去除支撑结构，以使第一沟槽和第二沟槽相连通为隔离槽；形成填充隔离槽的隔离结构，隔离结构在衬底中分隔出多个有源区。本公开可以减少或消除有源区的桥接缺陷，利于提升半导体器件的生产良率及可靠性。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底中形成平行间隔设置的多个第一沟槽；所述第一沟槽沿第一方向延伸； 形成填充所述第一沟槽的支撑结构； 于所述衬底上方形成掩膜结构；所述掩膜结构包括平行间隔设置的多个掩膜桥；所述掩膜桥沿第二方向延伸，所述第二方向和所述第一方向相交；相邻所述掩膜桥在所述衬底表面的正投影和对应的相邻所述支撑结构形成封闭图形，且相邻所述掩膜桥之间的间隔暴露出所述支撑结构的部分顶表面； 基于所述掩膜结构刻蚀所述衬底和所述支撑结构，形成第二沟槽； 去除保留的所述支撑结构，以使所述第一沟槽和所述第二沟槽相连通为隔离槽； 形成填充所述隔离槽的隔离结构，所述隔离结构在所述衬底中分隔出多个有源区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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