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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118824988B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410797137.8，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体结构及其制造方法、电子设备是由李晓杰设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构包括基底和位于基底上的堆叠结构，堆叠结构包括从上至下依次层叠的M个导电部以及沿第一水平方向排布的第一连接部和第二连接部，第一连接部与第i个导电部的侧壁和第j个导电部的侧壁电连接，第二连接部与第m个导电部的侧壁和第n个导电部的侧壁电连接，第i个导电部在基底上的正投影与第n个导电部在基底上的正投影部分交叠，第i个导电部在第一水平方向上的尺寸小于第n个导电部在第一水平方向上的尺寸，其中，M为大于或等于4的正整数，i、j、m、n中的每个为小于或等于M的正整数，ij，mn，i≠m，且j‑i＝n‑m。该半导体结构可以减少所需的导电插塞的数量，减少互连部分的占用面积。

本发明授权半导体结构及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供初始半导体结构，其中，所述初始半导体结构包括位于基底上的初始堆叠结构，所述初始堆叠结构包括多个层级，每个层级包括依次层叠的第一层和第二层； 刻蚀所述初始堆叠结构，形成沿第一水平方向延伸的阶梯结构，其中，所述阶梯结构包括第一台阶部和第二台阶部，所述阶梯结构包括从上至下的M个层级，所述第一台阶部包括所述M个层级中的第i层级至第j层级，所述第二台阶部包括所述M个层级中的第m层级至第n层级，M为大于或等于4的正整数，i、j、m、n中的每个为小于或等于M的正整数，ij，mn，i≠m，且j-i=n-m; 形成第一牺牲图案和第二牺牲图案，其中，所述第一牺牲图案与所述第一台阶部的所述第i个层级中的第一层的侧壁和所述第j个层级中的第一层的侧壁相连，所述第二牺牲图案与所述第二台阶部的所述第m个层级中的第一层的侧壁和所述第n个层级中的第一层的侧壁相连； 形成覆盖所述第一牺牲图案和所述第二牺牲图案的平坦化层； 刻蚀所述初始堆叠结构位于所述平坦化层在第二水平方向两侧的部分，以形成垂直开口，其中，所述垂直开口暴露所述阶梯结构、所述第一牺牲图案和所述第二牺牲图案的部分侧壁，所述第二水平方向与所述第一水平方向相交； 从所述垂直开口横向刻蚀去除所述阶梯结构中的所述M个层级中的第一层以及所述第一牺牲图案和所述第二牺牲图案，以将所述阶梯结构中的所述M个层级中的第一层替换为导电部，将所述第一牺牲图案替换为第一连接部，并将所述第二牺牲图案替换为第二连接部，其中，所述第一连接部与所述第i层级中的导电部的侧壁和所述第j层级中的导电部的侧壁电连接，所述第二连接部与所述第m层级中的导电部的侧壁和所述第n层级中的导电部的侧壁电连接，所述第i层级中的导电部在所述基底上的正投影与所述第n层级中的导电部在所述基底上的正投影部分交叠，所述第i层级中的导电部在所述第一水平方向上的尺寸小于所述第n层级中的导电部在所述第一水平方向上的尺寸。

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