北京北方华创微电子装备有限公司张学峰获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利工艺腔室以及半导体工艺设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118854235B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310473625.9,技术领域涉及:C23C14/35;该发明授权工艺腔室以及半导体工艺设备是由张学峰设计研发完成,并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本工艺腔室以及半导体工艺设备在说明书摘要公布了:本发明提供一种工艺腔室以及半导体工艺设备,工艺腔室包括用于承载晶圆的基座、设置于基座上方的靶材以及设置于靶材以及基座之间的准直器,准直器包括本体以及调节结构,本体和调节结构中的一者设置有多个沿其厚度方向贯穿的第一通孔,另一者包括多个间隔设置的凸部,每个凸部设置有沿其厚度方向贯穿的第二通孔,第一通孔和第二通孔相连通以形成连通孔,凸部与第一通孔相配合的区域位于本体的中心区域;本体与调节结构能够相对移动,以改变连通孔的深度。本申请中利用调节结构,可随着工艺的进行调节第二孔的深宽比,进而达到调节待沉积材料上形成的溅射材料薄膜的均匀度的目的。
本发明授权工艺腔室以及半导体工艺设备在权利要求书中公布了:1.一种工艺腔室,应用于半导体工艺设备,其特征在于,所述工艺腔室包括用于承载晶圆的基座、设置于所述基座上方的靶材以及设置于所述靶材以及所述基座之间的准直器, 所述准直器包括本体以及调节结构,所述本体和所述调节结构中的一者设置有多个沿其厚度方向贯穿的第一通孔,另一者包括多个间隔设置的凸部,每个所述凸部设置有沿其厚度方向贯穿的第二通孔,所述第一通孔和所述第二通孔相连通以形成连通孔,所述凸部与所述第一通孔相配合的区域位于所述本体的中心区域; 所述本体与所述调节结构能够相对移动,以改变所述连通孔的深度。
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