北京北方华创微电子装备有限公司马雪婷获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利射频功率监测方法、半导体工艺腔室及设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118866736B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310467938.3,技术领域涉及:H01L21/67;该发明授权射频功率监测方法、半导体工艺腔室及设备是由马雪婷设计研发完成,并于2023-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本射频功率监测方法、半导体工艺腔室及设备在说明书摘要公布了:本申请公开一种射频功率监测方法、半导体工艺腔室及设备,方法包括:在射频功率开始输出时,获取射频功率处于异常范围的持续时间;若持续时间小于或等于第一阈值,则清除持续时间,否则获取此次处于异常范围的第一时长;若第一时长小于第二阈值,则将第一时长累加至第二时长;若第二时长大于或者等于累计限制值,则判定射频功率异常,否则判定射频功率正常;在判定所述射频功率正常之后,继续监测射频功率是否处于异常范围,并在射频功率处于异常范围时,获取处于异常范围的第一时长,返回执行若第一时长小于预设的第二阈值,则将第一时长累加至第二时长的步骤。本申请能够提升射频功率监测过程的准确性,精准且全面地监测射频系统异常状况。
本发明授权射频功率监测方法、半导体工艺腔室及设备在权利要求书中公布了:1.一种射频功率监测方法,应用于半导体工艺设备,其特征在于,所述射频功率监测方法包括: 在射频功率开始输出时,获取所述射频功率处于异常范围的持续时间; 若当前获取的所述持续时间小于或等于预设的第一阈值,则清除获取的所述持续时间,若当前获取的所述持续时间大于所述第一阈值,则进一步获取此次处于异常范围的第一时长;所述第一阈值用于表征所述射频功率在产生时趋于稳定所需消耗的时长; 若所述第一时长小于预设的第二阈值,则将所述第一时长累加至第二时长;所述第二时长用于累计当前工艺中所述射频功率处于异常范围的总时长; 若所述第二时长大于或者等于预设的累计限制值,则判定所述射频功率异常,若所述第二时长小于所述累计限制值,则判定所述射频功率正常; 在判定所述射频功率正常之后,继续监测所述射频功率是否处于异常范围,并在所述射频功率处于异常范围时,获取此次处于异常范围的第一时长,返回执行若所述第一时长小于预设的第二阈值,则将所述第一时长累加至第二时长的步骤。
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