北京北方华创微电子装备有限公司袁仁志获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺设备及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310484876.7，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体工艺设备及其控制方法是由袁仁志;林源为设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺设备及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体工艺设备及其控制方法，所公开的半导体工艺设备包括腔室、晶圆承载座、光谱强度检测装置和冷却管路，其中，晶圆承载座设于腔室内，腔室的与晶圆承载座相对的顶壁开设有透明视窗，光谱强度检测装置位于腔室之外，且与透明视窗相对，冷却管路设于晶圆承载座，且用于向晶圆承载座上的晶圆吹送冷却气体，光谱强度检测装置包括光发射装置和光接收装置；光发射装置用于向晶圆发射第一光谱强度的光线，光接收装置用于接收经晶圆的表面反射第一光谱强度的光线后获得的第二光谱强度的光线，冷却管路用于在第一光谱强度与第二光谱强度之间的差值大于预设阈值时，调整向晶圆吹送冷却气体的参数，以降低晶圆的温度。
本发明授权半导体工艺设备及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括腔室100、晶圆承载座200、光谱强度检测装置300和冷却管路，其中，所述晶圆承载座200设于所述腔室100内，所述腔室100的与所述晶圆承载座200相对的顶壁开设有透明视窗110，所述光谱强度检测装置300位于所述腔室100之外，且与所述透明视窗110相对，所述冷却管路设于所述晶圆承载座200，且用于向所述晶圆承载座200上的晶圆吹送冷却气体，所述光谱强度检测装置300包括光发射装置310和光接收装置320； 所述光发射装置310用于向所述晶圆发射第一光谱强度的光线，所述光接收装置320用于接收经所述晶圆的表面反射所述第一光谱强度的光线后获得的第二光谱强度的光线，所述冷却管路用于在所述第一光谱强度与所述第二光谱强度之间的差值大于预设阈值时，调整向所述晶圆吹送所述冷却气体的参数，以降低所述晶圆的温度。
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