京东方华灿光电(浙江)有限公司王顺获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利发光二极管芯片及其制备方法、显示器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118867065B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410843243.5,技术领域涉及:H10H20/01;该发明授权发光二极管芯片及其制备方法、显示器件是由王顺;卫婷;楼高铭;周宇;罗欢;张梦竹设计研发完成,并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管芯片及其制备方法、显示器件在说明书摘要公布了:本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制备方法、显示器件,属于半导体技术领域。该制备方法包括:在各个发光单元上分别形成连接电极层,每个发光单元上的第一连接电极均沿第一方向指向第二连接电极,第一方向与平边之间的夹角为30°至60°,第一方向为矩形投影的长度方向;或者,一部分发光单元上的第一连接电极沿第二方向指向第二连接电极,第二方向为矩形投影的长度方向,另一部分发光单元上的第一连接电极沿第三方向指向和第二连接电极,第三方向与第二方向相反;沿切割道划裂蓝宝石晶圆,得到多个发光二极管芯片。本公开实施例能使LED芯片的发光光型或应用LED芯片的显示器件的光型更加对称。
本发明授权发光二极管芯片及其制备方法、显示器件在权利要求书中公布了:1.一种发光二极管芯片的制备方法,其特征在于,包括: 在蓝宝石晶圆10上形成多个发光单元20,所述蓝宝石晶圆10具有相连的平边11和圆弧边12,所述发光单元20在所述蓝宝石晶圆10上的正投影为矩形投影,所述多个发光单元20间隔分布,相邻的所述发光单元20之间形成有切割道22; 在各个所述发光单元20上分别形成连接电极层40,所述连接电极层40包括第一连接电极41和第二连接电极42,每个所述发光单元20上的所述第一连接电极41均沿第一方向指向所述第二连接电极42,所述第一方向与所述平边11之间的夹角为30°至60°,所述第一方向为所述矩形投影的长度方向;或者,一部分所述发光单元20上的所述第一连接电极41沿第二方向指向所述第二连接电极42,所述第二方向为所述矩形投影的长度方向,另一部分所述发光单元20上的所述第一连接电极41沿第三方向指向所述第二连接电极42,所述第三方向与所述第二方向相反; 沿所述切割道22划裂所述蓝宝石晶圆10,得到多个发光二极管芯片。
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