北京北方华创微电子装备有限公司刘志鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种形成保护膜的方法、保护膜及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118910591B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410969786.1，技术领域涉及：C23C16/505；该发明授权一种形成保护膜的方法、保护膜及半导体工艺设备是由刘志鑫设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种形成保护膜的方法、保护膜及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种形成保护膜的方法、保护膜及半导体工艺设备，所述形成保护膜的方法通过在工艺腔室的内壁沉积第一保护膜，以及在第一保护膜的表面上沉积第二保护膜，第二保护膜的材质与第一保护膜的材质不同，且第二保护膜的致密度大于第一保护膜的致密度，使得保护膜具有更强的耐等离子体轰击能力，从而在PECVD工艺加工过程中，能够有效降低保护膜在等离子体的轰击下产生颗粒的几率，进而降低了晶圆表面产生颗粒缺陷的风险；同时，第二保护膜的平滑度大于第一保护膜的平滑度，有效提高了工艺腔室的阻抗环境的均匀性，进而在PECVD工艺加工过程中，能够有效保证等离子体在工艺腔室内分布的均匀性，提高了晶圆内和晶圆间的均匀性。
本发明授权一种形成保护膜的方法、保护膜及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种形成保护膜的方法，其特征在于，包括： 在工艺腔室的内壁沉积第一保护膜； 在所述第一保护膜的表面上沉积第二保护膜；其中，所述第二保护膜的材质与所述第一保护膜的材质不同，且所述第二保护膜的致密度和平滑度大于所述第一保护膜的致密度和平滑度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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