大连理工大学郝广平获国家专利权
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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种同位素气体低温吸附分离系统与方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118925500B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411096537.2,技术领域涉及:B01D59/26;该发明授权一种同位素气体低温吸附分离系统与方法是由郝广平;王永胜;陆安慧设计研发完成,并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种同位素气体低温吸附分离系统与方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种同位素气体低温吸附分离系统与方法,系统包括同位素气体控制系统、低温控制系统、吸附柱和气体检测系统;低温控制系统包括制冷机,制冷机的冷头上缠绕若干圈气体预冷管,同位素气体控制系统中混气室的出口与预冷管的下端连接,预冷管的上端与吸附柱进气口连接,吸附柱置于冷头上,冷头与温控仪连接,冷头和吸附柱置于真空罩内,气体检测系统包括质谱;质谱与吸附柱出气口连接。此外,还包括储温系统,用于温度预存储,实现吸附柱的快速升降温。本发明解决了现有技术中同位素动态低温吸附分离温度不可控的问题,并进一步解决温度升降速率较慢导致设备运行效率低等问题,具有重大意义和价值。
本发明授权一种同位素气体低温吸附分离系统与方法在权利要求书中公布了:1.一种同位素气体低温吸附分离系统,其特征在于:包括同位素气体控制系统、低温控制系统、吸附柱和气体检测系统; 所述同位素气体控制系统包括同位素气体和混气室5,所述同位素气体分别与混气室5入口连接; 所述低温控制系统包括制冷机18、温控仪19和真空罩12,制冷机18的冷头17上缠绕若干圈气体预冷管15,混气室5的出口与预冷管15的下端连接,预冷管15的上端与吸附柱16进气口连接,所述吸附柱16置于冷头17上,所述温控仪19与冷头17连接,所述冷头17和吸附柱16置于真空罩12内;所述吸附柱16和冷头17各设温度传感器14,低温温度可控范围为4.2-300K;所述气体检测系统包括质谱26;所述质谱26与吸附柱16出气口连接; 所述同位素气体控制系统还包括吹扫气,所述混气室5出口与吹扫气连接后与预冷管15的下端连接;所述吸附柱16出气口通过三通球阀21,分别与气体储罐22、质谱26和气体管路真空泵23连接; 还包括储温系统,用于温度预存储,包括储温金属块29和真空罩12,所述储温金属块29通过导温管27与冷头17相连,所述导温管27上设有导温阀28,通过控制导温阀28实现储温金属块29与冷头17之间的冷量或热量运输的开启与关闭,所述储温金属块29分别与制冷机18、温控仪19和温度传感器14连接,所述储温金属块29和导温管27置于真空罩12内。
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