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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943016B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310498914.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其制备方法是由穆克军设计研发完成，并于2023-05-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制备方法。制备方法包括：提供衬底，衬底包括有源区；在衬底上形成栅极结构和伪栅极结构，栅极结构与有源区交叠，栅极结构包括位于衬底上的栅介质层和位于栅介质层上的栅导电层，栅介质层包括高介电常数层，栅导电层包括第一导电层，伪栅极结构包括位于衬底上的第二导电层，第二导电层与第一导电层的材料相同；对有源区进行掺杂，以形成位于栅极结构和伪栅极结构之间的第一掺杂区；在第一掺杂区上形成第一接触插塞，第一接触插塞分别与第一掺杂区和第二导电层电连接。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，其中，所述衬底包括有源区； 在所述衬底上形成栅极结构和伪栅极结构，其中，所述栅极结构与所述有源区交叠，所述栅极结构包括位于所述衬底上的栅介质层和位于所述栅介质层上的栅导电层，所述栅介质层包括高介电常数层，所述栅导电层包括第一导电层，所述伪栅极结构包括位于所述衬底上的第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层的材料相同； 对所述有源区进行掺杂，以形成位于所述栅极结构和所述伪栅极结构之间的第一掺杂区； 在所述第一掺杂区上形成第一接触插塞，其中，所述第一接触插塞分别与所述第一掺杂区和所述第二导电层电连接； 其中，在所述衬底上形成所述栅极结构和所述伪栅极结构，包括： 在所述衬底上形成第一叠层结构，所述第一叠层结构包括高介电常数材料层； 去除所述伪栅极结构对应的区域中的所述第一叠层结构； 在所述衬底上形成第二叠层结构，其中，所述第二叠层结构包括第一导电材料层，在所述栅极结构对应的区域中，所述第二叠层结构覆盖所述第一叠层结构； 图案化所述第二叠层结构和所述第一叠层结构，以在所述栅极结构对应的区域中形成所述栅介质层和所述栅导电层，且在所述伪栅极结构对应的区域中形成所述第二导电层。

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