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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利一种基于全介质硅的微纳光学结构色薄膜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118962880B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411162614.X，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权一种基于全介质硅的微纳光学结构色薄膜制备方法是由王璐;马智慧;董莉彤;王作斌;张景然;陈玉娟;胡翠华;刘梦楠;王深智;高嘉雪;常雨晴设计研发完成，并于2024-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于全介质硅的微纳光学结构色薄膜制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种基于全介质硅的微纳光学结构色薄膜制备方法，包括：根据待制备光学结构色薄膜的色度和反射率，利用时域有限差分法得到光学结构色薄膜的结构参数；将SOI芯片进行超声清洗后，镀厚度2nm的铬粘附层，得到SOI基底，并均匀涂覆厚度150nm的光刻胶，得到SOI胶层；调节双光束激光干涉光路的参数，以对SOI胶层进行干涉曝光，得到微纳光学结构图案；在微纳光学结构图案上蒸镀厚度30nm的金属铬膜后，用显影液溶解光刻胶，以将金属铬膜剥离，形成具有微纳光学结构图案的铬掩膜；利用电感耦合等离子体刻蚀技术，对SOI芯片进行刻蚀，以得到Si微纳光学结构色薄膜。该方法得到的Si微纳光学结构色薄膜具有高分辨率和高亮度，且颜色可调，加工面积可调。

本发明授权一种基于全介质硅的微纳光学结构色薄膜制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于全介质硅的微纳光学结构色薄膜制备方法，其特征在于，所述方法，包括： 根据待制备光学结构色薄膜的色度和反射率，利用时域有限差分法得到所述光学结构色薄膜的结构参数；所述结构参数包括：光栅周期、特征尺寸和高度； 将所述高度的SOI芯片进行超声清洗后，镀厚度2nm的铬粘附层，得到SOI基底，并在所述SOI基底表面均匀涂覆厚度150nm的光刻胶，得到SOI胶层； 基于所述结构参数，调节双光束激光干涉光路的参数，以对所述SOI胶层进行干涉曝光，得到具有所述光栅周期和特征尺寸的微纳光学结构图案； 在所述微纳光学结构图案上蒸镀厚度30nm的金属铬膜后，用显影液溶解所述微纳光学结构图案上的光刻胶，以将所述金属铬膜剥离，形成具有所述微纳光学结构图案的铬掩膜； 利用电感耦合等离子体刻蚀技术，按照所述铬掩膜的图案，对所述SOI芯片进行刻蚀后，去除表面残留的铬掩膜，以得到Si微纳光学结构色薄膜； 所述双光束激光干涉光路包括：激光器、分光元件、反光元件、半波片、偏振片以及微位移样品台； 所述激光器用于发射360nm的紫外激光束； 所述分光元件用于将所述紫外激光束分为具有相同功率的两束激光束； 所述反光元件用于调节所述激光束的传播路径，以使两束激光束入射至所述微位移样品台的角度相同； 所述半波片和偏振片用于调节所述激光束的偏振方向和激光功率，以使两束激光束的振幅相同并产生干涉，以及改变所述微纳光学结构图案的光栅周期和特征尺寸； 所述微位移样品台用于固定所述SOI胶层； 所述双光束激光干涉光路还包括：光阑、凸透镜和小孔； 所述光阑设置在所述偏振片与所述微位移样品台之间，用于将两束激光束的光斑形状整形为方形，以适应所述SOI芯片的形状； 所述凸透镜和小孔设置在所述反光元件与所述光阑之间，用于将所述激光束进行滤波和放大； 所述双光束激光干涉光路还包括：光闸； 所述光闸设置在所述激光器与所述分光元件之间，用于控制所述紫外激光束的曝光时间； 在将所述SOI胶层固定在所述微位移样品台之后，通过设置所述微位移样品台的移动速度和移动路径，以及所述光闸的曝光时间，实现对所述SOI胶层的大面积干涉曝光； 其中，所述微位移样品台能够在二维平面进行微移动。

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