北京北方华创微电子装备有限公司都娴获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利工艺腔室清洁方法、半导体刻蚀方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969590B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411025872.3，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权工艺腔室清洁方法、半导体刻蚀方法及半导体工艺设备是由都娴设计研发完成，并于2024-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本工艺腔室清洁方法、半导体刻蚀方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种工艺腔室清洁方法、半导体刻蚀方法及半导体工艺设备，其中，该清洁方法包括：利用第一等离子体至少刻蚀介质窗内表面上的副产物膜层，并控制第一等离子体对第一区域的副产物膜层的刻蚀速率大于对第二区域的副产物膜层的刻蚀速率；利用第一等离子体至少刻蚀位于介质窗内表面上的副产物膜层，并控制第一等离子体对第一区域的副产物膜层的刻蚀速率小于对第二区域的副产物膜层的刻蚀速率，以使第一区域剩余的副产物膜层与第二区域剩余的副产物膜层之间的厚度差异小于预设值。本方案能有效降低副产物膜层的脱落风险，延长工艺腔室的湿法清洗的维护周期。
本发明授权工艺腔室清洁方法、半导体刻蚀方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种工艺腔室清洁方法，其特征在于，所述清洁方法用于清洁所述工艺腔室内表面上沉积的副产物膜层，所述清洁方法包括： 执行第一清洁步骤，利用第一等离子体至少刻蚀介质窗内表面上的副产物膜层，并控制所述第一等离子体对第一区域的副产物膜层的刻蚀速率大于对第二区域的副产物膜层的刻蚀速率；所述介质窗设置在所述工艺腔室的顶部，所述第一区域位于所述介质窗的中部，所述第二区域围绕所述第一区域且位于所述第一区域的外侧； 执行第二清洁步骤，利用第一等离子体至少刻蚀位于所述介质窗内表面上的副产物膜层，并控制所述第一等离子体对所述第一区域的副产物膜层的刻蚀速率小于对所述第二区域的副产物膜层的刻蚀速率，以使所述第一区域剩余的副产物膜层与所述第二区域剩余的副产物膜层之间的厚度差异小于预设值。
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