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龙图腾网获悉重庆大学;重庆平伟实业股份有限公司申请的专利一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411031978.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法是由陈文锁;俞齐声;徐向涛;张成方;王航;张力设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该半导体场效应晶体管通过辅助栅阳极氧化层、第一导电类型屏蔽栅极多晶硅区域、第一导电类型辅助栅阳极多晶硅区域共同构成辅助栅结构，辅助栅作为反向导通二极管，当器件反向导通的时候，辅助栅由于更低的导通电压而优先导通，且为单极导通二极管，减少了器件内部空穴浓度，因此很大程度上改善了传统的屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管的反向恢复性能。此外，由于源极金属层与第二导电类型体区域形成肖特基接触，减小了原本传统结构中寄生三极管结构的影响，从而改善了器件的工作可靠性。

本发明授权一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括： 漏极金属层以及依次堆叠在所述漏极金属层上的第一导电类型衬底层和第一导电类型漂移区； 所述第一导电类型漂移区内设置有两个第一凹槽； 第一个所述第一凹槽内设置有栅极氧化层、第一导电类型屏蔽栅极多晶硅区域及第一导电类型栅极多晶硅区域，所述栅极氧化层包裹所述第一导电类型屏蔽栅极多晶硅区域和所述第一导电类型栅极多晶硅区域，所述第一导电类型栅极多晶硅区域位于所述第一导电类型屏蔽栅极多晶硅区域上，并通过所述栅极氧化层进行隔离； 第二个所述第一凹槽内设置有辅助栅阳极氧化层、第一导电类型屏蔽栅极多晶硅区域及第一导电类型辅助栅阳极多晶硅区域，所述辅助栅阳极氧化层包裹所述第一导电类型屏蔽栅极多晶硅区域和部分第一导电类型辅助栅阳极多晶硅区域，所述第一导电类型辅助栅阳极多晶硅区域位于所述第一导电类型屏蔽栅极多晶硅区域上，并通过所述辅助栅阳极氧化层进行隔离； 所述第一导电类型漂移区上设置有第二导电类型阳极注入区域和第二导电类型体区域； 所述栅极氧化层、所述辅助栅阳极氧化层、所述第二导电类型阳极注入区域、所述第二导电类型体区域、所述第一导电类型辅助栅阳极多晶硅区域上设置有源极金属层。

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