安迈特科技(北京)有限公司武俊获国家专利权
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龙图腾网获悉安迈特科技(北京)有限公司申请的专利用于锂离子电池的补锂隔膜、锂离子电池， 以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118970378B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411196211.7，技术领域涉及：H01M50/457；该发明授权用于锂离子电池的补锂隔膜、锂离子电池， 以及制备方法是由武俊;冯祎炜;王旭霞;请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于锂离子电池的补锂隔膜、锂离子电池， 以及制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供用于锂离子电池的补锂隔膜、锂离子电池，以及制备方法，属于电池领域。补锂隔膜包括隔膜基体、预锂层、第一保护层和第二保护层，预锂层位于隔膜基体的一侧，第一保护层位于预锂层远离隔膜基体的一侧；第二保护层设置于隔膜基体的第一表面，第二保护层的材料包括聚合物和酯类化合物，聚合物不溶于锂离子电池电解液；酯类化合物溶于锂离子电池电解液。本公开补锂隔膜的第二保护层为有机材料层，制备方法不需要在真空中进行，成本低；第一保护层和第二保护层使得预锂层中的锂金属在装配过程与空气中的水、二氧化碳、氧气、氮气等隔绝，预锂层锂消耗量小，锂利用率提高。解决现有补锂隔膜锂消耗量高，制备方法复杂等技术问题。
本发明授权用于锂离子电池的补锂隔膜、锂离子电池， 以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于锂离子电池的补锂隔膜，包括：隔膜基体和预锂层，所述隔膜基体包括相对的第一表面和第二表面，所述预锂层设置在所述隔膜基体的第二表面，其特征在于，所述补锂隔膜还包括第一保护层和第二保护层， 所述第一保护层设置于所述预锂层远离所述隔膜基体的一侧，用于保护所述预锂层；所述第一保护层为无机保护层； 所述第二保护层设置于所述第一表面，所述第二保护层的材料包括聚合物和酯类化合物，所述聚合物不溶于锂离子电池的电解液；所述酯类化合物溶于锂离子电池的电解液；所述聚合物包括聚酯、聚氨酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、丙烯酸聚合物、丙烯腈聚合物中的至少一种；所述酯类化合物包括碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、硫酸亚乙酯、硫酸丙烯酯、甲烷二磺酸亚甲酯中的至少一种。
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