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龙图腾网获悉华东师范大学申请的专利一种基于相变材料的多端口C型射频开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118973374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411027059.X，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于相变材料的多端口C型射频开关是由胡志高;侯张晨;张金中;李亚巍;商丽燕;朱亮清;褚君浩设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于相变材料的多端口C型射频开关在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于相变材料的多端口C型射频开关，所述的多端口C型射频开关是在Si‑SiO2衬底上通过单片集成SPST相变射频开关所制备的，具有四个端口。多端口C型射频开关自下而上包括依次设置的衬底层、底电极层、相变开关功能层、顶电极层、钝化层和射频传输层。与SPnT相变射频开关相比，使用多端口C型射频开关作为基本的构建块，可减少可重构射频系统所需的开关总数，以简化系统设计，增加系统的灵活性。

本发明授权一种基于相变材料的多端口C型射频开关在权利要求书中公布了：1.一种基于相变材料的多端口C型射频开关，其特征在于，所述多端口C型射频开关由下至上依次包括：Si-SiO2基底、底电极层、相变薄膜材料层、顶电极层、钝化层及射频传输层，具有两个输入端口和两个输出端口；其制备包括以下步骤： 步骤1：Si-SiO2基衬底的预处理 对Si-SiO2基衬底进行清洗和吹干；清洗过程是将Si-SiO2基衬底先在乙醇溶液中超声清洗5-20分钟，再在丙酮溶液中超声清洗5-20分钟，最后用去离子水超声清洗5-20分钟；吹干过程是将超声清洗完毕后的Si-SiO2基衬底使用高纯氮气吹干； 步骤2：制备底电极层 在经步骤1预处理的Si-SiO2基衬底上旋涂光刻胶后，利用电子束曝光图案化两个底电极作为输入端口和下一层套刻的十字标记，紧接着通过磁控溅射沉积2-10nm厚的Cr和40-100nm厚的Au，用丙酮溶液浸泡去胶清洗除去多余的材料，获得两个输入端口； 步骤3：制备相变薄膜材料层 在底电极层上旋涂光刻胶，根据十字标记对准进行电子束曝光套刻图案化相变材料层，然后沉积50-200nm厚的相变薄膜材料，用丙酮溶液浸泡去胶清洗除去多余的材料，获得相变薄膜材料层； 步骤4：制备顶电极层 在相变薄膜材料层上旋涂光刻胶，根据十字标记对准进行电子束曝光套刻图案化两个顶电极作为输出端口，通过磁控溅射沉积50-150nm厚的金属层，用丙酮溶液浸泡去胶清洗除去多余的材料，获得两个输出端口； 步骤5：制备钝化层 在顶电极层上旋涂光刻胶，根据十字标记对准进行电子束曝光套刻图案化钝化层，磁控溅射沉积100-250nm厚的钝化层薄膜，用丙酮溶液浸泡去胶清洗除去多余的材料，获得钝化层； 步骤6：制备射频传输层 在钝化层上旋涂光刻胶，根据十字标记对准进行电子束曝光套刻图案化射频传输层，磁控溅射沉积5-10nm的Cr和100-500nm厚的Au作为射频传输层，用丙酮溶液浸泡去胶清洗除去多余的材料，获得所述基于相变材料的多端口C型射频开关。

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