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龙图腾网获悉安徽长飞先进半导体股份有限公司申请的专利一种SiC沟槽型功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118983338B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411032215.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种SiC沟槽型功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆是由罗成志设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC沟槽型功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiC栅极沟槽型功率器件，包括：设置为第一导电类型的衬底层；设置为第一导电类型的外延层，位于所述衬底层的一侧，所述外延层远离所述衬底层的一侧设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽包括至少一弧形段；所述外延层包括设置为第二导电类型的阱区；以及设置为第一导电类型的第一区域，位于所述阱区远离所述衬底层的一侧；栅极结构，位于所述栅极沟槽内，所述栅极结构包括栅极，所述栅极和所述阱区接触；源极，位于所述外延层远离所述衬底层的一侧；漏极，位于所述衬底层远离所述外延层的一侧。本发明的SiC沟槽型功率器件，栅极沟槽设置成圆弧形，使得栅极沟槽底部电场分布均匀，避免槽角处电场加剧，氧化层不容易击穿。本发明还公开了一种SiC沟槽型功率器件的制备方法、功率模块、转换电路和车辆。

本发明授权一种SiC沟槽型功率器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.SiC栅极沟槽型功率器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供设置为第一导电类型的衬底层； 在所述衬底层的一侧形成设置为第一导电类型的外延层； 在所述外延层内形成设置为第二导电类型的阱区，所述第二导电类型和所述第一导电类型相对； 在所述阱区远离所述衬底层的一侧形成具有所述第一导电类型的第一区域； 在所述外延层远离所述衬底层的一侧形成栅极沟槽，所述栅极沟槽和所述阱区接触且所述栅极沟槽包括至少一弧形段； 在所述栅极沟槽内形成栅极； 在所述栅极沟槽远离所述外延层的一侧形成介质隔离层； 在所述介质隔离层远离所述外延层的一侧形成源极，所述源极和所述第一区域接触； 在所述衬底层远离所述外延层的一侧形成漏极； 其中，在所述栅极沟槽内形成栅极包括： 在所述外延层远离所述衬底层的一侧形成栅氧化层，所述栅氧化层覆盖所述外延层远离所述衬底层的一面以及所述栅极沟槽，且所述栅氧化层远离所述外延层的一侧具有第三凹槽，所述第三凹槽和所述栅极沟槽具有相同形貌； 在所述栅氧化层远离所述外延层的一侧形成多晶硅层，且所述多晶硅层远离所述栅氧化层的一侧具有第四凹槽，所述第四凹槽和所述栅极沟槽具有相同形貌； 在所述多晶硅层远离所述栅氧化层的一侧形成第二掩膜层，且所述第二掩膜层远离所述多晶硅层的一侧具有第五凹槽，所述第五凹槽和所述栅极沟槽具有相同形貌； 在所述第五凹槽内填充第二光阻； 去除部分所述第二掩膜层形成子掩膜，所述子掩膜位于所述第四凹槽中； 在所述子掩膜的至少一侧形成侧墙，所述侧墙位于所述第四凹槽中； 去除所述子掩膜； 以所述侧墙为掩膜版，去除部分所述多晶硅层形成所述栅极，所述栅极和所述阱区接触； 去除所述侧墙。

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