北京北方华创微电子装备有限公司迟文凯获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种上电极组件和半导体工艺腔室以及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119020758B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411131787.5，技术领域涉及：C23C16/509；该发明授权一种上电极组件和半导体工艺腔室以及半导体工艺设备是由迟文凯;兰云峰;任晓艳;王勇飞;王洪彪;李浩东;王昊设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种上电极组件和半导体工艺腔室以及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种上电极组件和半导体工艺腔室以及半导体工艺设备，包括：承载件，固设在半导体工艺腔室的腔体上并设有容置孔；射频隔离环，承载于承载件并至少部分位于容置孔中，用于阻断射频能量；气体喷淋头，穿过射频隔离环的环腔并承载于射频隔离环，且能向半导体工艺腔室中馈入射频能量；第一定位调节模块，包括：固定件，设在承载件上并位于射频隔离环的外侧；压紧件，连接在固定件上并向射频隔离环的中心延伸，且能与承载件配合对射频隔离环和气体喷淋头夹持定位；调节机构，设在固定件上并能沿射频隔离环的径向移动以使气体喷淋头径向移动。上述上电极组件能调整各组成部件之间的同心度，还能避免射频场内能量串扰，使成膜质量得到提升。
本发明授权一种上电极组件和半导体工艺腔室以及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种上电极组件，其特征在于，用于设置在半导体工艺设备的半导体工艺腔室中，包括： 承载件，固定设置在所述半导体工艺腔室的腔体上，并设置有容置孔； 射频隔离环，承载于所述承载件并至少部分位于所述容置孔中，用于阻断射频能量； 气体喷淋头，穿过所述射频隔离环的环腔，并承载于所述射频隔离环上，且至少用于向所述半导体工艺腔室中馈入射频能量； 第一定位调节模块，包括：固定件，设置在所述承载件上，并位于所述射频隔离环的外侧；压紧件，连接在所述固定件上，并向所述射频隔离环的中心方向延伸，且能与所述承载件配合实现对所述射频隔离环和所述气体喷淋头的夹持定位；调节机构，设置在所述固定件上，并能沿所述射频隔离环的径向移动以推动所述气体喷淋头径向移动。
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