长鑫存储技术有限公司杨晨获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119029016B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310573715.5，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权半导体结构及其制备方法是由杨晨;肖德元;蒋懿;廖昱程;冯道欢;赵文礼;胡敏锐;初剑设计研发完成，并于2023-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底；位于基底上的半导体柱，半导体柱包括：沿远离基底表面方向依次排列的源区、沟道区以及漏区，源区的平均带隙为第一带隙，沟道区的平均带隙为第二带隙，第一带隙小于第二带隙。本申请实施例提供的半导体结构至少能够降低晶体管的亚阈值摆福。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 位于所述基底上的半导体柱，所述半导体柱包括：沿远离所述基底表面方向依次排列的源区、沟道区以及漏区，所述源区的平均带隙为第一带隙，所述沟道区的平均带隙为第二带隙，所述第一带隙小于所述第二带隙； 其中，所述源区包括沿远离所述基底表面方向依次排列的第一子源区以及第二子源区，所述第二子源区与所述沟道区接触，所述第一子源区的掺杂离子导电类型与所述第二子源区的掺杂离子导电类型不同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励