清华大学张高飞获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利超表面红外窄带吸收器及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119029563B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411123436.X,技术领域涉及:H01Q17/00;该发明授权超表面红外窄带吸收器及其制造方法是由张高飞;赵晓光;王夏禹;黄晨航;尤政设计研发完成,并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本超表面红外窄带吸收器及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种超表面红外窄带吸收及其制造方法,超表面红外窄带吸收器包括:基底层,基底层包括基底和设在基底上表面的金属反射层;功能层,功能层包括支撑层和金属超表面层,支撑层的中部过口,金属超表面层包括功能区域和边缘区域,功能区域设有超表面结构,超表面结构包括多个沿厚度方向贯通金属超表面层的亚波长尺寸通孔;键合层,键合层位于基底层和功能层之间且基底层和功能层通过键合层键合连接,键合层的中部具有避让口,金属超表面层和金属反射层通过键合层间隔开以在金属超表面层和金属反射层之间形成谐振腔。根据本发明实施例的超表面红外窄带吸收器能够实现红外窄带吸收,具有品质因数高、加工兼容性好等优点。
本发明授权超表面红外窄带吸收器及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种超表面红外窄带吸收器,其特征在于,包括: 基底层,所述基底层包括基底和设在所述基底上表面的金属反射层,所述金属反射层适于反射红外线; 功能层,所述功能层包括支撑层和设在所述支撑层下表面的金属超表面层,所述支撑层的中部设有沿上下方向贯通所述支撑层的过口,所述金属超表面层包括功能区域和边缘区域,所述功能区域在水平方向上位于所述边缘区域内侧,所述功能区域设有超表面结构,所述超表面结构包括多个沿厚度方向贯通所述金属超表面层的亚波长尺寸通孔,所述支撑层与所述边缘区域在上下方向上相对,所述过口与所述功能区域在上下方向上相对,所述功能区域在上下方向上的投影位于所述金属反射层内; 键合层,所述键合层位于所述基底层和所述功能层之间且所述基底层和所述功能层通过所述键合层键合连接,所述键合层的中部具有沿上下方向贯通所述键合层的避让口,所述功能区域在上下方向上的投影位于所述避让口内,所述金属超表面层和所述金属反射层通过所述键合层间隔开以在所述金属超表面层和所述金属反射层之间形成谐振腔。
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