京东方华灿光电(苏州)有限公司蒋媛媛获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方华灿光电(苏州)有限公司申请的专利发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119069593B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410956395.6,技术领域涉及:H10H20/815;该发明授权发光二极管及其制备方法是由蒋媛媛;纪磊;从颖;张毓设计研发完成,并于2024-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了:本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法,属于半导体技术领域。该发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、插入层、发光层和第二半导体层,插入层包括多个凸起和填平层,多个凸起位于第一半导体层和发光层之间,凸起包括应力调控层,应力调控层采用退火工艺分解形成;填平层填充于多个凸起之间。本公开实施例能提高LED的发光效率和质量。
本发明授权发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种发光二极管,其特征在于,包括依次层叠的第一半导体层20、插入层30、发光层40和第二半导体层50, 所述插入层30包括多个凸起32和填平层33,所述多个凸起32位于所述第一半导体层20和所述发光层40之间,所述凸起32包括应力调控层321,所述应力调控层321采用退火工艺分解形成; 所述填平层33填充于所述多个凸起32之间; 所述凸起32还包括金属掩膜层322,所述应力调控层321和所述金属掩膜层322沿远离所述第一半导体层20的方向依次层叠。
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