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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种SOI横向功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092545B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411190124.0，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种SOI横向功率半导体器件是由王卓;廖阳婕;马鼎翔;王嘉伟;白瀚文;乔明;张波设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SOI横向功率半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种SOI横向功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提供一种带栅极极板的SOI横向功率半导体器件，通过在栅极下方的埋氧层中设置栅极极板，能在栅极极板上方再引入一个沟道，新增一条电流路径，从而提高器件电流导通能力。除此之外，本发明还提供不同的设计方案：通过在漂移区下方的埋氧层中设置漂移区极板，来降低比导通电阻；提供带栅极极板与漂移区极板的partial‑SOI横向功率半导体器件，以减小自热效应。本发明针对SOI横向功率半导体器件，提供具有高电流导通能力和低比导通电阻的功率半导体器件。

本发明授权一种SOI横向功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种SOI横向功率半导体器件，其特征在于：包括第二掺杂类型的衬底110，衬底110上设置有第一埋氧层108，第一埋氧层108中设置有第一栅极极板111； 第一埋氧层108上方设置有第一掺杂类型的漂移区107，第一掺杂类型的漂移区107内左侧设置有第二掺杂类型的体区106，右侧设置有第一掺杂类型的漏极区109，第二掺杂类型的体区106内设置有第一掺杂类型的第一源极区105和第二掺杂类型的第二源极区118，其中第一掺杂类型的第一源极区105和第二掺杂类型的第二源极区118在体内方向相切排列； 第一掺杂类型的漂移区107表面设置有栅氧化层103，第一掺杂类型的第一源极区105和第二掺杂类型的第二源极区118上方设有源极金属101，其中源极金属101与第一掺杂类型的第一源极区105和第二掺杂类型的第二源极区118相接触，漏极金属104位于第一掺杂类型的漏极区109上方，其中漏极金属104与第一掺杂类型的漏极区109相接触，栅氧化层103的左边界与第一掺杂类型的第一源极区105的右边界相切，右边界超出第二掺杂类型的体区106的右边界，栅氧化层103上设置有位于第一栅极极板111正上方的栅极102； 第一栅极极板111与栅极102接同一电位，或者单独控制，第一栅极极板111的偏置电压需保证第一栅极极板111上方的沟道能开启； 第一埋氧层108中设置有第一漂移区极板112，其中第一栅极极板111位于栅极102正下方，第一漂移区极板112位于第一栅极极板111右侧、第一掺杂类型的漂移区107下方； 第一漂移区极板112电位单独控制，其偏置电位大于第一栅极极板111电位，小于漏极金属104电位。

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