湖北九峰山实验室徐少东获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利超结器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108414B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411204801.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权超结器件及其制作方法是由徐少东;李明哲;袁俊设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本超结器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种超结器件及其制作方法，该超结器件包括：氧化镓衬底；位于所述氧化镓衬底表面的N型外延层，所述N型外延层远离所述氧化镓衬底一侧的表面内形成有高阻层；位于所述N型外延层中的多个多级沟槽，所述多级沟槽包括沿第一方向排布的N个子沟槽，且所述N个子沟槽在第二方向上的尺寸不完全相同，其中，所述N不小于3，所述第一方向垂直于所述氧化镓衬底所在平面，且指向所述氧化镓衬底，所述第二方向垂直于所述第一方向；覆盖所述多级沟槽表面的第一P型氧化物层，其中，所述多级沟槽表面包括所述多级沟槽的底部和所述多级沟槽的侧壁。该超结器件耐压性能较高，工艺难度较小。
本发明授权超结器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种超结器件，其特征在于，包括： 氧化镓衬底； 位于所述氧化镓衬底表面的N型外延层，所述N型外延层远离所述氧化镓衬底一侧的表面内形成有高阻层； 位于所述N型外延层中的多个多级沟槽，所述多级沟槽包括沿第一方向排布的N个子沟槽，且所述N个子沟槽在第二方向上的尺寸不完全相同，其中，所述N不小于3，所述第一方向垂直于所述氧化镓衬底所在平面，且指向所述氧化镓衬底，所述第二方向垂直于所述第一方向； 覆盖所述多级沟槽表面的第一P型氧化物层，其中，所述多级沟槽表面包括所述多级沟槽的底部和所述多级沟槽的侧壁； 其中，所述超结器件包括元胞区、过渡区和终端区，所述终端区位于所述元胞区的外围，所述过渡区位于所述元胞区和所述终端区之间，所述超结器件还包括：覆盖所述第一P型氧化物层位于所述超结器件的终端区的部分的表面的第二P型氧化物层。
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