华南理工大学肖嘉滢获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种GaN薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119121137B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411198868.7，技术领域涉及：C23C14/28；该发明授权一种GaN薄膜及其制备方法和应用是由肖嘉滢;王文樑;曹怡诺;刘力玮;文灿设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN薄膜及其制备方法和应用。本发明的GaN薄膜的制备方法包括以下步骤：1将AlN陶瓷靶作为原料，采用脉冲激光沉积工艺在衬底上沉积AlN薄膜；或者，先在衬底上沉积AlN薄膜，再将金属Mo和硫粉作为原料，采用磁控溅射工艺在AlN薄膜上沉积MoS2薄膜；2将三甲基镓、三甲基铝和氨气作为原料，采用有机金属化学气相沉积工艺在AlN薄膜或MoS2薄膜上沉积GaN薄膜。本发明将低温PLD和高温MOCVD有机结合来制备GaN薄膜，具有简单易操作、成本低廉、适用于大批量生产等优点，制备得到的GaN薄膜表面光滑、厚度可控、结晶良好、生长均匀，适合在光电子领域和微电子领域大规模应用。
本发明授权一种GaN薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种GaN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将AlN陶瓷靶作为原料，采用脉冲激光沉积工艺在衬底上沉积AlN薄膜，再将金属Mo和硫粉作为原料，采用磁控溅射工艺在AlN薄膜上沉积MoS2薄膜； 2将三甲基镓、三甲基铝和氨气作为原料，采用有机金属化学气相沉积工艺在MoS2薄膜上沉积GaN薄膜； 步骤1所述磁控溅射工艺的操作参数包括：沉积温度为600℃～700℃； 步骤1所述MoS2薄膜的厚度为3nm～5nm； 步骤2所述有机金属化学气相沉积工艺的操作参数包括：沉积温度为990℃～1090℃，沉积时间为25min～45min； 步骤2所述GaN薄膜的厚度为1μm～5μm。
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