买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种晶圆结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133149B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411231085.4，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种晶圆结构及其制备方法是由张庭高;孙钧;高红莲设计研发完成，并于2024-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体制造技术领域，提供一种晶圆结构，包括芯片区域和定位区域，定位区域包括精对位区域，精对位区域包括沿第一方向叠置的M个材料层，并分别记为第1至第M材料层，沿第一方向俯视晶圆结构，将精对位区域沿第二方向划分为N个标记区域，并分别记为第1至第N标记区域，其中，每个标记区域的至少一个材料层中设置有精对位图形，并且第1材料层为对位层，其中的精对位图形为对准标记。进行曝光定位时，能够根据各标记区域定位信号的强度判断具有最佳定位效果的标记区域，进行实现了对晶圆的有效对准定位。本申请还提供一种晶圆结构的制备方法，用于制造上述晶圆结构。

本发明授权一种晶圆结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆结构，其特征在于，包括芯片区域及位于所述芯片区域外周的定位区域，所述定位区域包括精对位区域，所述精对位区域包括沿第一方向依次叠置的8个材料层，并沿所述第一方向分别记为第1至第8材料层；其中，所述第一方向为所述晶圆结构的厚度方向； 沿所述第一方向俯视所述晶圆结构，所述精对位区域呈条形结构，以所述精对位区域条形结构的延伸方向为第二方向，所述精对位区域沿所述第二方向划分为N个标记区域，并沿所述第二方向依次分别记为第1至第N标记区域，其中，N为大于3的正整数，每个所述标记区域的至少一个材料层中设置有精对位图形，并且所述第1材料层为对位层，所述第1材料层中的精对位图形为对准标记； 其中，所述精对位图形呈十字形结构，包括呈凹槽形十字结构的第二类图形；所述精对位区域的第1材料层至第8材料层中，第6材料层为厚铝层，在N个所述标记区域中具有第K-1至第K+1标记区域，所述第K-1标记区域包括第1至第8材料层，所述第K-1标记区域的第3材料层以及第5至第8材料层中设置有第二类图形，第K标记区域包括第1至第4材料层、第6材料层和第8材料层，所述第K+1标记区域包括第1至第2材料层、第4材料层和第8材料层，且未含有第3材料层以及第5至第7材料层，K为小于N的正整数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海积塔半导体有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。