上海华力集成电路制造有限公司蔡平获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利离子注入层版图的光学邻近效应修正方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119148460B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411215366.0，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权离子注入层版图的光学邻近效应修正方法及系统是由蔡平设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子注入层版图的光学邻近效应修正方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种离子注入层版图的光学邻近效应修正方法及系统，属于半导体技术领域，该离子注入层版图的光学邻近效应修正方法，包括提供待修正的版图离子注入区，对所述版图离子注入区的关键尺寸小于所需尺寸的局部位置进行修正：在所述局部位置的两侧边界处分别生长修正图形，以增大所述局部位置的宽度；对每个所述修正图形进行分步向外扩张：所述修正图形沿预定方向逐步向外扩张预设距离，每步扩张后检测所述修正图形与有源区之间的距离，若所述修正图形与有源区之间的距离大于安全距离则继续扩张所述修正图形。通过在OPC修正时对每个修正图形单独进行分步扩张，确保版图离子注入区二维CD的尺寸安全，同时与有源区保持安全距离，减少运算量，提高出版效率。
本发明授权离子注入层版图的光学邻近效应修正方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种离子注入层版图的光学邻近效应修正方法，其特征在于，提供待修正的版图离子注入区，对所述版图离子注入区的关键尺寸小于所需尺寸的局部位置进行修正： 在所述局部位置的两侧边界处分别生长修正图形，以增大所述局部位置的宽度； 对每个所述修正图形进行分步向外扩张：所述修正图形沿预定方向逐步向外扩张预设距离，每步扩张后检测所述修正图形与有源区之间的距离，若所述修正图形与有源区之间的距离大于安全距离则继续扩张所述修正图形。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201314 上海市浦东新区良腾路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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