天合光能股份有限公司杨睿获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利隧穿氧化层钝化背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153549B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411299568.8，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权隧穿氧化层钝化背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统是由杨睿;柳伟设计研发完成，并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本隧穿氧化层钝化背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种隧穿氧化层钝化背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。该隧穿氧化层钝化背接触太阳能电池包括：衬底；第一隧穿氧化层，所述第一隧穿氧化层位于衬底的背面；第一磷掺杂层，所述第一磷掺杂层位于所述第一隧穿氧化层远离所述衬底的一侧面；第二隧穿氧化层，所述第二隧穿氧化层位于所述第一磷掺杂层远离所述第一隧穿氧化层的一侧面的部分区域，所述第二隧穿氧化层呈间隔排布，相邻两个第二隧穿氧化层之间的区域为电极连接区；第二磷掺杂层，所述第二磷掺杂层远离所述第二隧穿氧化层远离第一磷掺杂层的一侧表面，以及位于所述电极连接区。本申请实施例的隧穿氧化层钝化背接触太阳能电池，具有较高的良率和较好的接触。
本发明授权隧穿氧化层钝化背接触太阳能电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统在权利要求书中公布了：1.一种隧穿氧化层钝化背接触太阳能电池，其特征在于，包括： 衬底； 第一隧穿氧化层，所述第一隧穿氧化层位于衬底的背面； 第一磷掺杂层，所述第一磷掺杂层位于所述第一隧穿氧化层远离所述衬底的一侧面； 第二隧穿氧化层，所述第二隧穿氧化层位于所述第一磷掺杂层远离所述第一隧穿氧化层的一侧面的部分区域，所述第二隧穿氧化层呈间隔排布，相邻两个所述第二隧穿氧化层之间的区域为电极连接区； 第二磷掺杂层，所述第二磷掺杂层位于所述第二隧穿氧化层远离所述第一磷掺杂层的一侧表面，以及位于所述电极连接区。
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