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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119155994B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310687819.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其形成方法是由宛强;孙耀;张文杰;崔静思;唐德键;吴建福设计研发完成，并于2023-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括：提供基底，所述基底包括阵列区、外围区；在所述基底上形成第一掩膜层，并在所述第一掩膜层中形成位于所述阵列区和所述外围区正上方的第一掩膜图案；基于所述第一掩膜图案在所述阵列区中形成阵列图案。

本发明授权一种半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于， 包括： 提供基底，所述基底包括阵列区、外围区； 在所述基底上形成第一掩膜层，并在所述第一掩膜层中形成位于所述阵列区和所述外围区正上方的第一掩膜图案； 基于所述第一掩膜图案在所述阵列区中形成阵列图案； 所述在所述第一掩膜层中形成位于所述阵列区和所述外围区正上方的第一掩膜图案，包括： 在所述基底上形成第一掩膜层、第三掩膜层、第四掩膜层、第一光刻胶层；所述第一光刻胶层包括位于所述阵列区正上方以及所述外围区正上方的第三掩膜图案； 基于所述第三掩膜图案在位于所述阵列区正上方以及所述外围区正上方的所述第四掩膜层中均形成第四掩膜图案； 在所述第四掩膜图案的侧壁形成第一介质层，并去除所述第四掩膜图案； 以所述第一介质层为掩膜刻蚀所述第三掩膜层，在所述阵列区的正上方以及所述外围区的正上方均形成第五掩膜图案； 所述在所述第一掩膜层中形成位于所述阵列区和所述外围区正上方的第一掩膜图案，还包括： 在所述第五掩膜图案的侧壁形成第二介质层； 以所述第二介质层为掩膜刻蚀所述第一掩膜层，在所述阵列区的正上方以及所述外围区的正上方均形成所述第一掩膜图案；所述第一掩膜图案上剩余部分所述第二介质层； 所述方法还包括： 至少在所述第一掩膜图案的间隙以及所述第一掩膜图案上剩余的所述第二介质层的间隙之间均形成第一填充层；所述阵列区正上方的所述第一填充层与所述外围区正上方的所述第一填充层的高度齐平； 所述方法还包括： 刻蚀所述第一填充层，并去除所述第一掩膜图案上剩余的所述第二介质层，形成第一凹槽； 在所述第一凹槽中形成第二填充层； 去除部分第一填充层以及所述第二填充层，使得所述阵列区正上方的所述第一填充层与所述外围区正上方的所述第一填充层的高度齐平，并暴露出所述第一掩膜图案。

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