浙江创芯集成电路有限公司王爽获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170506B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411282836.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的形成方法是由王爽;许凯;吴永玉;高大为设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底的表面形成栅极层；在所述栅极层的侧壁表面形成侧墙；在所述衬底的表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有开口，所述开口暴露出所述侧墙两侧的部分所述衬底的表面；对所述侧墙两侧的所述衬底进行第一次离子注入；对所述侧墙两侧的所述衬底进行第二次离子注入，所述第一次离子注入的能量大于所述第二次离子注入的能量，所述第二次离子注入的注入角度大于所述第一次离子注入的注入角度；进行所述第二次离子注入之后，对所述侧墙两侧的所述衬底进行第三次离子注入，形成源漏掺杂区；简化了制造工序，降低了工艺成本，使得半导体器件能够承受更高的电压。
本发明授权半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底的表面形成栅极层； 在所述栅极层的侧壁表面形成侧墙； 在所述衬底的表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有开口，所述开口暴露出所述侧墙两侧的部分所述衬底的表面； 对所述侧墙两侧的所述衬底进行第一次离子注入； 对所述侧墙两侧的所述衬底进行第二次离子注入，所述第一次离子注入的能量大于所述第二次离子注入的能量，所述第二次离子注入的注入角度大于所述第一次离子注入的注入角度； 进行所述第二次离子注入之后，对所述侧墙两侧的所述衬底进行第三次离子注入，形成源漏掺杂区。
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