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龙图腾网获悉浙江大学绍兴研究院申请的专利一种基于时间势垒超表面的太赫兹隔离器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119171038B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411263890.5，技术领域涉及：H01P1/36；该发明授权一种基于时间势垒超表面的太赫兹隔离器是由童明玉;杨怡豪;陈红胜;胡瑜泽设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于时间势垒超表面的太赫兹隔离器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于时间势垒超表面的太赫兹隔离器，设置于衬底，衬底的两侧分别设有x偏振片和y偏振片，包括若干超表面结构单元并且所述超表面结构单元位于所述衬底靠近所述y偏振片的一侧，所述超表面结构单元包括金属棒、第一开口谐振环、第二开口谐振环、第三开口谐振环、第四开口谐振环、第一半导体结构和第二半导体结构。本发明公开的一种基于时间势垒超表面的太赫兹隔离器，在瞬态偏振转换中，原本两对共振模式的相干相消状态被时间势垒导致的相位偏移打破，导致太赫兹能量辐射，而另一个方向上的相干相消状态受入射场保护，时间损耗势垒的作用无效，从而实现单向太赫兹传输。

本发明授权一种基于时间势垒超表面的太赫兹隔离器在权利要求书中公布了：1.一种基于时间势垒超表面的太赫兹隔离器，设置于衬底，衬底的两侧分别设有x偏振片和y偏振片，其特征在于，包括若干超表面结构单元并且所述超表面结构单元位于所述衬底靠近所述y偏振片的一侧，所述超表面结构单元包括金属棒、第一开口谐振环、第二开口谐振环、第三开口谐振环、第四开口谐振环、第一半导体结构和第二半导体结构，其中： 所述第一开口谐振环和所述第二开口谐振环连接于所述金属棒的第一侧并且所述第三开口谐振环和所述第四开口谐振环连接于所述金属棒的第二侧，所述第一开口谐振环和所述第三开口谐振环位于同一水平，所述第二开口谐振环和所述第四开口谐振环位于同一水平；所述第一半导体结构覆盖于所述第二开口谐振环的开口部分以及外边缘部分并且所述第二半导体结构覆盖于所述第三开口谐振环的开口部分以及外边缘部分； 太赫兹隔离器的隔离原理为： 当泵浦光作用在第一半导体结构和第二半导体结构时，电导率瞬间增加，使得覆盖第一半导体结构的第二开口谐振环的开口谐振环模式以及覆盖第二半导体结构的第三开口谐振环的开口谐振环模式被削弱，同时相位产生瞬态变化，无覆盖的第一开口谐振环和第四开口谐振环的开口谐振环模式和相位不变； 入射到y偏振片的太赫兹脉冲通过金属棒将y偏振能量耦合到开口谐振环上，两对开口谐振环的共振模式产生相干相消，当泵浦光与太赫兹脉冲同时到达超表面结构单元时，第二、三开口谐振环的瞬态相位变化使得相干相消状态破缺，并且以x偏振形式将太赫兹信号辐射出来，从而实现正向太赫兹y偏振到x偏振的信号通过； 反向入射到x偏振片的太赫兹脉冲，激发两对开口谐振环模式，虽然覆盖半导体结构的开口谐振环模式会被削弱，但相位受到外场的保护，两对开口环谐振模式以相同能量耦合到金属棒，由于与金属棒耦合的相位相反，y偏振模式被抵消，没有能量辐射出来，导致反向入射受阻，从而实现单向太赫兹传输。

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