浙江工业大学曹华珍获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江工业大学申请的专利N+离子修饰的α-PbO多孔电极及其制备方法和电催化合成硼氢化钠的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119177467B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411216118.8，技术领域涉及：C25B11/091；该发明授权N+离子修饰的α-PbO多孔电极及其制备方法和电催化合成硼氢化钠的应用是由曹华珍;尹泽东;郑国渠;张惠斌;刘铮铮设计研发完成，并于2024-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本N+离子修饰的α-PbO多孔电极及其制备方法和电催化合成硼氢化钠的应用在说明书摘要公布了：本发明公开了N+离子修饰的α‑PbO多孔电极及其制备方法和电催化合成硼氢化钠的应用，所述多孔电极的制备过程是：β‑PbO粉末先球磨，然后用含N阳离子表面活性剂溶液搅拌，在α‑PbO表面形成N+修饰，与偏硼酸钠、导电粉和石蜡混合、研磨，压片，包埋于氧化铝中烧结，即制备完成。本发明在α‑PbO表面形成N+修饰，能够改善催化电极表面的双电层结构，促进反应物BOH4‑在阴极的传质；同时改性催化剂表面易形成Pb‑N‑O键，对‑OH的吸附作用增强，有助于反应物在催化剂表面的活化。本发明的N+离子修饰的α‑PbO多孔电极用于固相电解合成硼氢化钠具有高效的性能，在碱性偏硼酸钠溶液中电还原合成硼氢化钠的电流效率可达67.6%以上。
本发明授权N+离子修饰的α-PbO多孔电极及其制备方法和电催化合成硼氢化钠的应用在权利要求书中公布了：1.N+离子修饰的α-PbO多孔电极的制备方法，其特征在于包括以下步骤： 1将β-PbO粉末和不锈钢球放入球磨罐中，在球磨机中球磨，球磨后的产物即为微米花状α-PbO，然后将其放入到含N阳离子表面活性剂溶液中搅拌，之后过滤获得N+离子修饰的微米花状α-PbO；所述含N阳离子表面活性剂为十二烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基溴化铵、十四烷基三甲基溴化铵中的一种或多种的混合物； 2将N+离子修饰微米花状α-PbO、偏硼酸钠、导电粉和石蜡混合，研磨，形成细粉； 3将步骤2所得粉末压制成电极片，以氧化铝作为包埋料，将电极片包埋于氧化铝中，置于马弗炉中烧结，最后随炉冷却后取出电极片，获得N+离子修饰的α-PbO多孔电极； 步骤3中烧结温度和保温时间，烧结温度控制在100-300℃，且保温时间控制在1-5h。
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