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龙图腾网获悉湖南芯力特电子科技有限公司申请的专利双向可控硅静电防护器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208365B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411264614.0，技术领域涉及：H10D18/80；该发明授权双向可控硅静电防护器件及其制备方法是由关文杰;李朝喜设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本双向可控硅静电防护器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种双向可控硅静电防护器件及其制备方法，双向可控硅静电防护器件包括自下而上堆叠的P型衬底、N型埋层和P型外延层，以及，形成于P型外延层中的器件结构；其中，器件结构包括：第一P型埋层和第二P型埋层，形成于两者之上的第一P型阱、第一N型阱、第二P型阱、第二N型阱和第三P型阱，形成于上述各阱中的第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第二N+注入区、第五P+注入区、第六P+注入区、第七P+注入区、第三N+注入区和第八P+注入区，形成于部分P型外延层上的第一栅极和第二栅极。通过本发明解决了现有应用于5V窗口的可控硅器件存在触发电压高且维持电压低的问题。

本发明授权双向可控硅静电防护器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双向可控硅静电防护器件，其特征在于，所述双向可控硅静电防护器件包括： 自下而上堆叠的P型衬底、N型埋层和P型外延层，以及，形成于所述P型外延层中的器件结构；其中，所述器件结构包括： 形成于所述N型埋层上的第一P型埋层和第二P型埋层且二者沿横向间隔布置；形成于所述第一P型埋层上的第一P型阱和第一N型阱，形成于所述第一P型埋层和所述第二P型埋层所在间隔上的第二P型阱，形成于所述第二P型埋层上的第二N型阱和第三P型阱，且各阱沿横向依次邻接布置；形成于所述第一P型阱中的第一P+注入区，形成于所述第一N型阱中的第一N+注入区、第二P+注入区和第三P+注入区，形成于所述第一N型阱和所述第二P型阱中的第四P+注入区，形成于所述第二P型阱中的第二N+注入区，形成于所述第二P型阱和所述第二N型阱中的第五P+注入区，形成于所述第二N型阱中的第六P+注入区、第七P+注入区和第三N+注入区，形成于所述第三P型阱中的第八P+注入区，且各注入区沿横向依次间隔布置；形成于所述第三P+注入区和所述第四P+注入区所在间隔处的所述P型外延层上的第一栅极，形成于所述第五P+注入区和所述第六P+注入区所在间隔处的所述P型外延层上的第二栅极； 其中，所述第一P+注入区、所述第一N+注入区和所述第二P+注入区连接在一起并作为阳极，所述第一栅极、所述第四P+注入区、所述第二N+注入区、所述第五P+注入区和所述第二栅极连接在一起，所述第七P+注入区、所述第三N+注入区和所述第八P+注入区连接在一起并作为阴极。

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