上海华虹宏力半导体制造有限公司王宁获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利SONOS存储器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119212394B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411207322.3，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权SONOS存储器件及其制备方法是由王宁;张可钢设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本SONOS存储器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种SONOS存储器件及其制备方法，包括：提供基底，基底上形成电荷存储层、多晶硅栅材料层和硬掩膜层；自对准刻蚀工艺在硬掩膜层中形成两个分立的氧化层；自对准刻蚀去除两个氧化层暴露出的多晶硅栅材料层，以形成两个分立的多晶硅栅极；形成侧墙，隔离侧墙填充两个多晶硅栅极之间的间隙；边侧侧墙覆盖两个多晶硅栅极各自远离隔离侧墙一侧的侧壁；向边侧侧墙各自远离隔离侧墙一侧的基底中进行源漏重掺杂离子注入。本发明增大存储密度，省去两个存储管之间共用的源端以及各自靠近源端一侧的侧墙，直接用隔离侧墙来隔离两个存储管，可有效缩减存储单元的面积。两个存储管使用自对准工艺形成，一致性高，提升存储单元的均一性。
本发明授权SONOS存储器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SONOS存储器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一基底，在所述基底表面依次形成电荷存储层、多晶硅栅材料层和硬掩膜层； 刻蚀所述硬掩膜层形成开口定义出两个存储管的总沟道长度； 利用自对准刻蚀工艺在所述开口中形成两个分立的氧化层； 刻蚀去除所述硬掩膜层；自对准刻蚀去除两个所述氧化层暴露出的所述多晶硅栅材料层，以形成两个分立的多晶硅栅极；以及去除所述氧化层； 形成侧墙，所述侧墙包括隔离侧墙和边侧侧墙；所述隔离侧墙填充两个所述多晶硅栅极之间的间隙；所述边侧侧墙覆盖两个所述多晶硅栅极各自远离所述隔离侧墙一侧的侧壁； 向所述边侧侧墙各自远离所述隔离侧墙一侧的所述基底中进行源漏重掺杂离子注入，形成第一重掺杂区和第二重掺杂区。
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