买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种全硅立式无引线封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119223513B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411340460.9，技术领域涉及：G01L19/14；该发明授权一种全硅立式无引线封装结构及其制备方法是由李村;秦川界;赵玉龙;郝乐;艾嘉宾;卜凯设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全硅立式无引线封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：一种全硅立式无引线封装结构及其制备方法，包括传感器芯片，传感器芯片经高掺杂硅立式导电结构连接在陶瓷基底上，陶瓷基底上连接有导电引脚，导电引脚和掺杂硅立式导电结构电连接，传感器芯片、高掺杂硅立式导电结构、陶瓷基底外侧连接有合金外壳；传感器芯片采用SOI硅片，高掺杂硅立式导电结构用P型高掺杂低电阻率的硅片；本发明能够实现无金属或导电焊料参与的全硅化的封装结构，适合于超高温环境下的应用，具有制作工艺简单、电气连接稳定、成本低等优点，易于大批量生产。

本发明授权一种全硅立式无引线封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种全硅立式无引线封装结构，包括传感器芯片1，其特征在于：传感器芯片1经高掺杂硅立式导电结构2连接在陶瓷基底3上，陶瓷基底3上连接有导电引脚4，导电引脚4和高掺杂硅立式导电结构2电连接，传感器芯片1、高掺杂硅立式导电结构2、陶瓷基底3外侧连接有合金外壳5； 所述的传感器芯片1包括由上向下的器件层、绝缘层、支撑层；其中器件层包括四个P型掺杂压阻条1-1和五个P型高掺杂硅引线1-2，四个P型掺杂压阻条1-1通过五个P型高掺杂硅引线1-2依次连接组成惠斯通电桥；相邻P型高掺杂硅引线1-2间隔有分割细缝；支撑层设有方形质量块1-4和支撑边框1-5，方形质量块1-4与支撑边框1-5之间相隔区域为应力集中区域，P型掺杂压阻条1-1布置于应力集中区域内；绝缘层1-3位于器件层与支撑层之间，材料为SiO2，实现器件层与支撑层间的电绝缘； 所述高掺杂硅立式导电结构2选用P型高掺杂低电阻率的硅片，高掺杂硅立式导电结构2与P型高掺杂硅引线1-2通过阳极键合连接在一起；高掺杂硅立式导电结构2包括对应五个P型高掺杂硅引线1-2的五个高掺杂硅立式导线2-2，五个高掺杂硅立式导线2-2围成空腔2-1；相邻高掺杂硅立式导线2-2之间间隔有分割线段2-3，分割线段2-3中填入有SiO2，实现高掺杂硅立式导线2-2之间的绝缘；同时，键合后高掺杂硅立式导电结构2表面电镀有点电极2-4。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。