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龙图腾网获悉上海鼎阳通半导体科技有限公司申请的专利FS-IGBT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230599B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310780210.6，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权FS-IGBT器件及其制造方法是由陈为真;曾大杰;高宗朋设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本FS-IGBT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种FS‑IGBT器件，包括：漂移区，形成于漂移区表面的阱区，栅极结构，形成于阱区的表面且和栅极结构自对准的发射区。形成于半导体衬底的背面的第二半导体材料层，第二半导体材料层的禁带宽度低于半导体衬底的禁带宽度。由背面氢注入形成的氢注入层，氢注入层的顶部表面和漂移区的底部表面接触。P型重掺杂的集电区，集电区的顶部表面和氢注入层的底部表面相接触并形成背面PN结。集电区的顶部表面和第二半导体材料层的顶部表面相平或者位于第二半导体材料层的顶部表面之下。本发明还公开了一种FS‑IGBT器件的制造方法。本发明对集电区材料进行了改进，能降低背面PN结的开启电压、整个器件的导通压降以及导通损耗，还能进一步改善开关特性。

本发明授权FS-IGBT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种FS-IGBT器件，其特征在于，包括： 漂移区，由形成于半导体衬底表面的N型轻掺杂区组成； P型掺杂的阱区，形成于所述漂移区表面； 栅极结构，包括依次叠加的栅介质层和栅极导电材料层； N型重掺杂的发射区，形成于所述阱区的表面且和所述栅极结构自对准；位于所述发射区和所述漂移区之间的所述阱区表面作为沟道区且被所述栅极结构所覆盖； 形成于所述半导体衬底的背面的第二半导体材料层，所述第二半导体材料层的禁带宽度低于所述半导体衬底的禁带宽度； 由背面氢注入形成的氢注入层，所述氢注入层的顶部表面和所述漂移区的底部表面接触，所述氢注入层的等效N型掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度； P型重掺杂的集电区，所述集电区的顶部表面和所述氢注入层的底部表面相接触并形成背面PN结； 所述集电区的顶部表面位于所述第二半导体材料层的顶部表面之下，使所述背面PN结的界面位于所述第二半导体材料层内部或者所述背面PN结的内建空间电荷区的部分或全部位于所述第二半导体材料层内部，以使所述背面PN结的开启电压由所述第二半导体材料层确定并利用所述第二半导体材料层的禁带宽度更低的特点来降低所述背面PN结的开启电压； 所述集电区的掺杂杂质为P型重掺杂的背面注入杂质或者所述第二半导体材料层在位掺杂杂质； 所述集电区的底部表面和所述第二半导体材料层的底部表面相平； 所述集电区的结深小于0.5μm； 所述第二半导体材料层的厚度大于所述集电区的结深且所述第二半导体材料层的厚度为0.3μm～1μm。

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