买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海鼎阳通半导体科技有限公司申请的专利FS-IGBT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230601B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310780215.9，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权FS-IGBT器件及其制造方法是由曾大杰;陈为真设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本FS-IGBT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种FS‑IGBT器件，包括：漂移区，形成于漂移区表面的阱区，栅极结构，形成于阱区的表面且和栅极结构自对准的发射区。形成于半导体衬底的背面的第二半导体材料层，第二半导体材料层的禁带宽度低于半导体衬底的禁带宽度。由第一导电类型背面离子注入区组成的场截止层，场截止层的顶部表面和漂移区的底部表面接触。第二导电类型重掺杂的集电区，集电区的顶部表面和场截止层的底部表面相接触并形成背面PN结。集电区的顶部表面和第二半导体材料层的顶部表面相平或者位于第二半导体材料层的顶部表面之下。本发明还公开了一种FS‑IGBT器件的制造方法。本发明对集电区材料进行了改进，能降低背面PN结的开启电压、整个器件的导通压降以及导通损耗。

本发明授权FS-IGBT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种FS-IGBT器件，其特征在于，包括： 漂移区，包括形成于半导体衬底表面的第一导电类型轻掺杂区； 第二导电类型掺杂的阱区，形成于所述漂移区表面； 栅极结构，包括依次叠加的栅介质层和栅极导电材料层； 第一导电类型重掺杂的发射区，形成于所述阱区的表面且和所述栅极结构自对准；位于所述发射区和所述漂移区之间的所述阱区表面作为沟道区且被所述栅极结构所覆盖； 形成于所述半导体衬底的背面的第二半导体材料层，所述第二半导体材料层的禁带宽度低于所述半导体衬底的禁带宽度； 由第一导电类型背面离子注入区组成的场截止层，所述场截止层的顶部表面和所述漂移区的底部表面接触，所述场截止层的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度； 第二导电类型重掺杂的集电区，所述集电区的顶部表面和所述场截止层的底部表面相接触并形成背面PN结； 所述集电区的顶部表面位于所述第二半导体材料层的顶部表面之下，使所述背面PN结的界面位于所述第二半导体材料层内部或者所述背面PN结的内建空间电荷区的部分或全部位于所述第二半导体材料层内部； 所述集电区的掺杂杂质为第二导电类型重掺杂的背面注入杂质或者所述第二半导体材料层在位掺杂杂质； 所述集电区的底部表面和所述第二半导体材料层的底部表面相平； 所述集电区的结深小于0.5μm； 所述第二半导体材料层的厚度大于所述集电区的结深且所述第二半导体材料层的厚度为0.3μm～1μm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海鼎阳通半导体科技有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张衡路666弄1号609室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。