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龙图腾网获悉天津大学申请的专利自适应光强的高速宽动态脉冲像素结构及图像传感器、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119233116B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411282175.6，技术领域涉及：H04N25/77；该发明授权自适应光强的高速宽动态脉冲像素结构及图像传感器、电子设备是由徐江涛;智雨燕;陈倩;聂凯明;高静设计研发完成，并于2024-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本自适应光强的高速宽动态脉冲像素结构及图像传感器、电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种自适应光强的高速宽动态脉冲像素结构及图像传感器、电子设备，高速宽动态脉冲像素结构包括光电二极管，多个MOS开关晶体管、电容跨阻放大器，CTIA电容，比较器，多个反相器，脉冲信号锁存器，3bit计数器。本发明提出的像素结构，能够根据光强自适应选择感光节点增益，提高了低光强灵敏度，扩展了动态范围，同时能够实现对高速场景的响应，解决了CMOS图像传感器由于动态范围要求高，采用电容溢流或者采用双增益等结构，需要读出多个信号，读出时间较长的问题。

本发明授权自适应光强的高速宽动态脉冲像素结构及图像传感器、电子设备在权利要求书中公布了：1.自适应光强的高速宽动态脉冲像素结构，其特征在于，包括光电二极管，多个MOS开关晶体管、电容跨阻放大器，CTIA电容，比较器，多个反相器，脉冲信号锁存器，3bit计数器，工作模式切换逻辑控制单元，复位逻辑控制单元以及预判断逻辑单元；第一MOS开关晶体管一端连接光电二极管非接地端而另一端接电容跨阻放大器负相输入端，第二MOS开关晶体管与第三MOS开关晶体管、CTIA电容并联电路结构的一端连接光电二极管非接地端，另一端连接CTIA电容输出端；电容跨阻放大器正输入端连接复位电压信号Vrst，输出端连接比较器负输入端； 第四MOS开关晶体管、第五MOS开关晶体管、第六MOS开关晶体管及第七MOS开关晶体管的一端共同连接比较器正输入端，另一端依次分别接预判断工作阈值电压Vth0、复位电压信号Vrst、第一工作阈值电压Vth1、第二工作阈值电压Vth2；比较器输出端与第八MOS开关晶体管、第九MOS开关晶体管并联电路的一端及第十MOS开关晶体管一端连接，第十MOS开关晶体管另一端连接第一反相器输入端，第八MOS开关晶体管与第九MOS开关晶体管并联电路另一端连接第一反相器的输出端及第二反相器输入端，第二反相器输出接脉冲信号锁存器输入端以及3bit计数器输入端，3bit计数器输出端接第三反相器输入端且被输入全局时钟信号clk；脉冲信号锁存器clk输入端连接锁存信号latch，脉冲信号锁存器Q输出端接第四反相器输入端，且输出锁存输出信号Latchout；第三反相器及第四反相器分别被输入行选信号Sel，输出端连接到列总线。

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