西安电子科技大学王勇获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种晶圆级单层MoS2薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119243114B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411365240.1，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种晶圆级单层MoS2薄膜及其制备方法是由王勇;成梓萱;杨定怡;刘艳;韩根全;郝跃设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆级单层MoS2薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆级单层MoS2薄膜及其制备方法，该方法包括：将硫粉和三氧化钼粉末作为反应前驱体分别放置于两个石英舟中，并将盛有硫粉的石英舟、盛有三氧化钼粉末的石英舟以及面向气流流通方向垂直放置的C面蓝宝石衬底分别放入单管式CVD管式炉内的第一温区、第二温区以及第三温区；向清洗后单管式CVD管式炉通入载气，到达预设的炉内压力时，对硫粉、三氧化钼粉末和C面蓝宝石衬底分别进行加热，形成均匀性好且质量较高的晶圆级单层MoS2薄膜，解决了现有机械剥离获得的二维MoS2薄膜产率低和均匀性差的技术问题。
本发明授权一种晶圆级单层MoS2薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级单层MoS2薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将硫粉和三氧化钼粉末作为反应前驱体分别放置于两个石英舟中，并将盛有硫粉的石英舟、盛有三氧化钼粉末的石英舟以及面向气流流通方向垂直放置的C面蓝宝石衬底分别放入单管式CVD管式炉内的第一温区、第二温区以及第三温区；所述硫粉和三氧化钼粉末的质量比为800～1000:1； 向清洗后的单管式CVD管式炉通入载气，当炉内压力达到常压时，对硫粉、三氧化钼粉末和C面蓝宝石衬底分别进行加热，形成晶圆级单层MoS2薄膜；所述载气由体积比为95％的氩气和5％的氢气构成，载气的流速为80～100sccm；所述单管式CVD管式炉的加热条件为： 第一温区以3.5～5℃min的升温速率升至150～200℃；第二温区以14.5～16℃min的升温速率升至580～650℃；第三温区以23.5～25℃min的升温速率升至950～965℃；三个温区达到设定温度后，保温1h，即生长时间为1h，保温结束后，自然冷却至室温。
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