中国人民解放军国防科技大学王伟权获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利基于皮秒激光驱动CH靶的准单能质子束生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119275075B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411265816.7，技术领域涉及：H01J27/24；该发明授权基于皮秒激光驱动CH靶的准单能质子束生成方法是由王伟权;魏玉清;马璐瑶;余同普;邵福球设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于皮秒激光驱动CH靶的准单能质子束生成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于皮秒激光驱动CH靶的准单能质子束生成方法，包括：将长脉冲的线偏振高斯激光打入具有密度梯度变换的等离子体CH靶，使所述线偏振高斯激光与所述等离子体CH靶持续地相互作用，进而使被加速电子形成的电流与电子回流共同形成长时间的环形磁场；所述环形磁场产生的电场对各种粒子产生不同程度的加速，将粒子分离的同时使质子处于加速电场的负梯度中，从而使得质子在相空间中堆积，得到准单能的质子束。本发明应用于粒子加速领域，能够产生高能量、低能散的准单能质子束，不仅对激光强度要求不高，且具备一定的鲁棒性，同时获得的质子束的能量较高、单能性好，能散能够低至3.1％。
本发明授权基于皮秒激光驱动CH靶的准单能质子束生成方法在权利要求书中公布了：1.一种基于皮秒激光驱动CH靶的准单能质子束生成方法，其特征在于，包括如下步骤： 将长脉冲的线偏振高斯激光打入具有密度梯度变换的等离子体CH靶，使所述线偏振高斯激光与所述等离子体CH靶持续地相互作用，进而使被加速电子形成的电流与电子回流共同形成长时间的环形磁场； 所述环形磁场产生的电场对各种粒子产生不同程度的加速，将粒子分离的同时使质子处于加速电场的负梯度中，从而使得质子在相空间中堆积，得到准单能的质子束。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国人民解放军国防科技大学，其通讯地址为：410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励