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龙图腾网获悉海信家电集团股份有限公司申请的专利IGBT结构及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300376B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411393937.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权IGBT结构及半导体器件是由张永旺;陈道坤;聂碧颖;储金星;杨晶杰;刘恒设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种IGBT结构及半导体器件，IGBT结构包括：基体，第一导电类型的漂移区，漂移区设于第一主面和第二主面之间；第二导电类型的集电区，集电区设于漂移区朝向第一主面的一侧；沟槽栅，沟槽栅有至少两个且间隔设置，沟槽栅自第二主面向第一主面延伸至漂移区中；第二导电类型的浮置区，浮置区设于漂移区朝向第二主面的一侧，且位于两个沟槽栅之间；第二导电类型的体区，设于漂移区朝向第二主面的一侧；第一导电类型的发射区，设于体区朝向第二主面的一侧；第一导电类型的掺杂区，设于相邻两个沟槽栅之间的漂移区的两侧，掺杂区的掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度。根据本申请的IGBT结构及半导体器件，可以有效增强栅极电阻对开通didt的控制能力。

本发明授权IGBT结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种IGBT结构，其特征在于，包括： 基体，所述基体具有第一主面及与第一主面相反侧的第二主面，所述第一主面和所述第二主面在竖直方向上间隔设置； 第一导电类型的漂移区，所述漂移区设于所述第一主面和所述第二主面之间； 第二导电类型的集电区，所述集电区设于所述漂移区朝向所述第一主面的一侧，所述集电区远离所述漂移区的一侧构成所述第一主面的至少部分； 沟槽栅，所述沟槽栅有至少两个且间隔设置，所述沟槽栅自所述第二主面向所述第一主面延伸至所述漂移区中； 第二导电类型的浮置区，所述浮置区设于所述漂移区朝向所述第二主面的一侧，且位于相邻两个所述沟槽栅之间，所述浮置区远离所述漂移区的一侧构成部分所述第二主面； 第二导电类型的体区，所述体区设于所述漂移区朝向所述第二主面的一侧，且位于所述沟槽栅远离所浮置区的一侧； 第一导电类型的发射区，所述发射区设于所述体区朝向所述第二主面的一侧，所述发射区远离所述体区的一侧构成部分所述第二主面； 第一导电类型的掺杂区，所述掺杂区设于相邻两个所述沟槽栅之间的所述漂移区的两侧，且与所述沟槽栅的表面贴合，所述掺杂区位于所述浮置区朝向所述第一主面的一侧，所述掺杂区的掺杂浓度高于所述漂移区的掺杂浓度。

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