买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉民华微(上海)电子科技有限公司申请的专利半导体功率器件的终端结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300440B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411382940.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体功率器件的终端结构及其制造方法是由周鸣涛;禹小军设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体功率器件的终端结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体功率器件的终端结构，包括多个场限环。各场限环为由多条场限环直线段和多个场限环转角段首尾相连形成的环形结构，各场限环转角段包括场限环外侧转角边和场限环内侧转角边。场限环外侧转角边和场限环内侧转角边的曲率半径独立设置。场限环外侧转角边的曲率半径大于等于第一设定值，场限环外侧转角边的曲率半径越大，场限环的边缘处的电场集中越缓解以及电场强度越小。场限环内侧转角边的曲率半径小于等于第二设定值，场限环内侧转角边的曲率半径越小，场限环的内侧边所环绕区域越大，有源区的面积越大。本发明还公开了一种半导体功率器件的终端结构的制造方法。本发明能器件反向耐压能力，还能提升有源区面积和电流密度。

本发明授权半导体功率器件的终端结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率器件的终端结构，其特征在于，终端结构形成于终端区中，所述终端区环绕在有源区的周侧； 所述终端结构包括： 多个第二导电类型掺杂的场限环，各所述场限环形成于第一导电类型轻掺杂的第一外延层的选定区域中； 各所述场限环为由多条场限环直线段和多个场限环转角段首尾相连形成的环形结构，各相邻所述场限环直线段之间通过一个所述场限环转角段连接，所述场限环直线段的数量和所述场限环转角段的数量相同；不同的所述场限环之间的序号相同的所述场限环直线段互相平行，不同的所述场限环之间的序号相同的所述场限环转角段互相对齐； 各所述场限环转角段包括场限环外侧转角边和场限环内侧转角边； 所述场限环外侧转角边和所述场限环内侧转角边的曲率半径独立设置； 所述场限环外侧转角边的曲率半径大于等于第一设定值，所述场限环外侧转角边的曲率半径越大，所述场限环的边缘处的电场集中越缓解以及电场强度越小，所述场限环外侧转角边的曲率半径为所述第一设定值时，所述场限环的边缘处的电场强度达到电场强度最大要求值，所述电场强度最大要求值小于所述第一外延层的材料的击穿电场强度； 所述场限环内侧转角边的曲率半径小于等于第二设定值，所述场限环内侧转角边的曲率半径越小，所述场限环的内侧边所环绕区域越大，所述有源区的面积越大；所述场限环内侧转角边的曲率半径为所述第二设定值时，所述有源区的面积达到最低要求值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人民华微(上海)电子科技有限公司，其通讯地址为：200439 上海市宝山区逸仙路1328号6号楼3楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。